[发明专利]利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：

在薄膜晶体管中的半导体层，所述半导体层包含选自于由以下物质构成的组中的化合物：

包含氧、氮、锌、铟和镓的氮氧化物；以及

包含氧、氮、锌和锡的氮氧化物。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管为顶栅薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的晶体管，所述薄膜晶体管还包含：

基板；

栅极，所述栅极设置在所述基板上；

栅介质层，所述栅介质层设置在所述栅极上；

设置在所述栅介质层上的所述半导体层；以及

源极与漏极，所述源极与漏极设置在所述半导体层上，且所述源极与漏极相隔开来而限定出有源沟道。

4.如权利要求3所述的晶体管，所述薄膜晶体管还包含蚀刻终止层，所述蚀刻终止层设置在所述有源沟道中的半导体层上。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中所述半导体层的迁移率大于约50cm²/V-s。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中所述化合物还包含掺杂剂，所述掺杂剂选自于由铝(Al)、钙(Ca)、硅(Si)、钛(Ti)、铜(Cu)、锗(Ge)、镍(Ni)、锰(Mn)、铬(Cr)、钒(V)、镁(Mg)和上述物质的组合物所构成的组中。

7.如权利要求6所述的晶体管，其中所述化合物包含铝掺杂剂。

8.如权利要求1所述的晶体管，其中所述化合物包含含氧、氮、锌、铟和镓的氮氧化物。

9.如权利要求8所述的晶体管，其中所述化合物还包含掺杂剂。

10.如权利要求9所述的晶体管，其中所述掺杂剂包含铝。

11.如权利要求1所述的晶体管，其中所述化合物包含含氧、氮、锌和铟的氮氧化物。

12.如权利要求11所述的晶体管，其中所述化合物还包含掺杂剂。

13.如权利要求12所述的晶体管，其中所述掺杂剂包含铝。