[发明专利]电压放大系统有效

专利信息
申请号: 201310020515.3 申请日: 2013-01-21
公开(公告)号: CN103138693B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 王锐 申请(专利权)人: 成都芯源系统有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 王波波
地址: 611731 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 电压 放大 系统
【权利要求书】:

1.一种电压放大系统,包括:

输入放大级,具有第一输入端、第二输入端和第一输出端,其第一输入端接收第一输入信号,其第二输入端接收第二输入信号;

输出放大级,耦接于第一电势和第二电势之间,具有第一输入端和输出端,其第一输入端耦接至所述输入放大级的第一输出端,其输出端提供系统输出信号;以及

充放通路,具有第一输入端、第二输入端和第一输出端,其第一输入端耦接至所述输入放大级的第一输入端,其第二输入端耦接至所述输入放大级的第二输入端,其第一输出端耦接至所述输出放大级的第一输入端,当所述第一输入信号与所述第二输入信号之差超过大于零的第一阈值时,所述充放通路对所述输出放大级的第一输入端放电或者充电。

2.根据权利要求1所述的电压放大系统,其中,当所述第二输入信号与所述第一输入信号之差超过大于零的第二阈值时,所述充放通路对所述输出放大级的第一输入端充电或者放电。

3.根据权利要求1所述的电压放大系统,其中,所述输出放大级包括,

第一功率管,具有第一端、第二端和控制端,其第一端耦接至或者配置为所述输出放大级的输出端,其第二端耦接至第一电势或第二电势,其控制端耦接至或者配置为所述输出放大级的第一输入端,所述第一功率管包括NMOS晶体管或者NPN双极性晶体管或者PMOS晶体管或者PNP双极性晶体管。

4.根据权利要求1所述的电压放大系统,其中,当所述第一输入信号与所述第二输入信号之差超过所述第一阈值时,所述充放通路的输出端由高阻状态转换为吸收或者提供电流。

5.根据权利要求2所述的电压放大系统,其中,当所述第二输入信号与所述第一输入信号之差超过所述第二阈值时,所述充放通路的输出端由高阻状态转换为提供或者吸收电流。

6.根据权利要求1或4所述的电压放大系统,其中,所述充放通路包括,

第一失调比较器,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其第一输入端耦接至所述输入放大级的第一输入端,其第二输入端耦接至所述输入放大级的第二输入端,输出端提供第一开关信号,当所述第一输入信号与所述第二输入信号之差超过所述第一阈值时,所述第一开关信号由无效电平翻转为有效电平;以及

第一开关,具有第一端、第二端和控制端,其第一端耦接至所述输出放大级的第一输入端,其第二端耦接至所述第一电势或者所述第二电势,其控制端耦接至所述第一失调比较器的输出端。

7.根据权利要求6所述的电压放大系统,其中,所述第一失调比较器包括:

第一失调产生装置,具有输入端和输出端,其输入端耦接至所述输入放大级的第一输入端,输出端提供第一失调电压,所述第一失调电压为所述第一输入信号与所述第一阈值之差;以及

第一比较器,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其第一输入端耦接至所述第一失调产生装置的输出端,其第二输入端耦接至所述输入放大级的第二输入端,其输出端提供所述第一开关信号。

8.根据权利要求6所述的电压放大系统,其中,所述充放通路包括:

第二失调产生装置,具有输入端和输出端,其输入端耦接至所述输入放大级的第二输入端,其输出端提供第二失调电压,所述第二失调电压为所述第二输入信号与所述第一阈值之和;以及

第一比较器,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其第二输入端耦接至所述第二失调产生装置的输出端,其第一输入端耦接至所述输入放大级的第一输入端,输出端提供所述第一开关信号。

9.根据权利要求1或4所述的电压放大系统,其中,所述充放通路包括:第一失调放大器,具有第一输入端、第二输入端和输出端,其第一输入端耦接至所述输入放大级的第一输入端,其第二输入端耦接至所述输入放大级的第二输入端,输出端提第一充放信号,当所述第一输入信号与所述第二输入信号之差超过所述第一阈值时,所述第一失调放大器的输出端发生从吸收电流到提供电流的功能转换;以及

第一二极管,其阴极耦接至所述输出放大级的第一输入端,其阳极耦接至所述第一失调放大器的输出端。

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