[发明专利]SCM样品横断面的制备方法有效
| 申请号： | 201310020360.3 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103941043A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李楠;赖李龙;朱灵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | scm 样品 横断面 制备 方法 | ||
1.一种SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，包括：
在晶片上形成标识，以确定目标样品的位置；
根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片；
采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口；
按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面；
按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。
2.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述第一工艺配方包括：工艺温度为100℃～500℃，工艺时间为30min～240min。
3.如权利要求2所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述第一工艺配方包括：工艺温度为300℃，工艺时间为50min。
4.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的腐蚀液为4％～6％氢氟酸，腐蚀时间为10s～10min。
5.如权利要求4所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述湿法腐蚀的腐蚀液为4.9％氢氟酸，腐蚀时间为2min。
6.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片后，所述目标样品一侧的剩余的晶片的宽度为1μm～10μm。
7.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片的过程中采用的工作电压为0.5kV～15kV。
8.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述开口为矩形开口。
9.如权利要求8所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述矩形开口的宽度为3μm～10μm，长度为5μm～15μm，深度为3μm～10μm。
10.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述第二工艺配方包括：工艺温度为200℃～400℃，工艺时间为1min～1h。
11.如权利要求1或10所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述SCM样品横断面的厚度为2.5nm～3.5nm。
12.如权利要求11所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，所述SCM样品横断面的厚度为3nm。
13.如权利要求1所述的SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片的方法为化学抛光法或者FIB刻蚀法。
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