[发明专利]多维集成电路的电源线滤波器

权利要求书

1.一种用于使负载电路与通过导向所述负载电路的导体传播的AC噪声相去耦的电路结构，所述电路结构包括：至少一个电路元件，具有多个叠加层，其中，至少一个导电路径穿过所述电路元件，并在所述导电路径上的所述电路元件表面任两不同节点形成电气连接，所述导电路径具有阻抗特性；

其中，所述阻抗特性部分地通过去耦电路来限定，所述去耦电路包括至少一个与所述负载电路并联连接的电容和至少一个与所述导电路径串联连接的电感，其中，所述电容和所述电感形成使频率高于预定频率的噪声信号成分减弱的低通滤波器，由此使所述负载电路与所述噪声信号成分相去耦；

其中，所述电感由至少一个导电线圈提供，所述至少一个导电线圈占据叠加层中的至少两层并且包括在所述叠加层之间延伸的至少一个通孔。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述电感由至少两个导电线圈提供，每个导电线圈都分别占据至少两个所述叠加层，其中，至少两个所述导电回路被设置成电磁耦合，由此提供与所述导电路径串联的变压器。

3.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述电感至少部分地由相邻叠加层中的导电区域和介电区域来提供。

4.根据权利要求3所述的电路结构，其中，所述电路元件包括至少一个半导体层，并且所述电容由至少一个金属氧化物半导体电容器器件(MOScap)提供，所述金属氧化物半导体电容器器件具有设置在相邻叠加层中的相应的导体部分、电介质部分和半导体部分。

5.根据权利要求4所述的电路结构，其中，所述电容器器件包括相邻分离地形成的栅极的阵列，所述栅极形成所述导电部分并覆盖所述叠加层中的介电层和半导体层。

6.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述阻抗特性由至少一条传输线来限定，所述传输线包括输入并联电容，串联电感和输出并联电容。

7.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述阻抗特性由至少两条级联的传输线来限定，每条传输线均包括输入并联电容、串联电感和输出并联电容。

8.根据权利要求7所述的电路结构，其中，两条所述级联的传输线的电感磁性耦合，从而形成变压器。

9.根据权利要求8所述的电路结构，其中，两条所述级联的传输线的电感包括所述叠加层中的导体，每个导体均形成至少一个回路，并且所述导体的回路至少部分地相互重叠。

10.一种多维电路装置，包括：

电路衬底，为了向至少一个操作电路供电而向所述衬底上的点提供电源连接；

中介层，被布置为安装在所述电路衬底上，所述中介层具有多个叠加层，其中，至少一个导电路径穿过所述中介层的叠加层并且位于所述中介层的表面上的点处，从而沿着通过所述中介层的任两节点之间的所述导电路径形成电连接；

去耦电路，与所述导电路径相连接并且设置在所述中介层内，所述去耦电路包括与负载电路并联的电容和与所述导电路径串联的电感，其中，所述电容和所述电感形成使频率高于预定频率的噪声信号成分减弱的低通滤波器。