[发明专利]一种六角相氮化硼薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310019912.9 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103031516A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 六角 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积方法，由固态硼源提供硼原子，在衬底上形成六角相氮化硼薄膜；物理气相沉积的沉积速率为0.01nm/min～20nm/min；成膜过程中控制衬底温度为20～1600℃，最后以10～400℃/min的速率降温至室温。
2.如权利要求1所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，成膜过程中控制衬底温度为500～1200℃，最后以30～300℃/min的速率降温至室温。
3.如权利要求1所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述的成膜过程中包括如下步骤：
(1)在20℃～500℃较低的衬底温度时，将硼原子基团和氮原子基团或者氮化硼分子沉积在衬底上，沉积速率为0.01nm/min～20nm/min；
(2)对沉积有硼原子基团和氮原子基团或者氮化硼分子的衬底在500℃～1600℃进行热处理；
(3)热处理后，以降温速率10℃/min～400℃/min将温度降到室温。
4.如权利要求3所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述的步骤(2)的热处理时间为1～180min。
5.如权利要求1所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述的物理气相沉积方法为离子束沉积、电子束沉积、激光沉积、红外线加热沉积、溅射沉积、热蒸镀沉积、分子束外延沉积中的一种或几种的组合。
6.如权利要求1所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述的固态硼源为硼、氮化硼固态材料中的一种或两种。
7.如权利要求1或5所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，采用所述的物理气相沉积方法制备六角相氮化硼薄膜时，向沉积腔室通入氮气、氨气中的至少一种。
8.如权利要求1所述的六角相氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，还包括对六角相氮化硼薄膜进行掺杂，掺杂的原子包括Be、C、Si、Ge、O、S中的一种或几种的组合。
9.如权利要求1所述的方法制备的六角相氮化硼薄膜，其特征在于，所述的六角相氮化硼薄膜由1～200层的六角相氮化硼单元层组成。
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