[发明专利]相变合金材料的无损刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310018505.6 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103094476A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李俊焘;刘波;宋志棠;冯高明;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 合金材料 无损 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变合金材料的无损刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底；
在该半导体衬底上形成相变合金材料层；
在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；
图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；
使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；
将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。
2.根据权利要求1所述的相变合金材料的无损刻蚀方法，其特征在于，所述的相变合金材料是锑碲化合物或锗碲化合物。
3.根据权利要求1所述的相变合金材料的无损刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为光刻胶、金属硬掩膜或介电质硬掩膜。
4.根据权利要求1所述的相变合金材料的无损刻蚀方法，其特征在于，将所述刻蚀气体激发成等离子体时，反应室压力为1～100mT；离子体源功率为300～700瓦；偏置电压为250～400伏。
5.根据权利要求4所述的相变合金材料的无损刻蚀方法，其特征在于，使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中时，溴化氢流量为100～250sccm，氦气流量为100～500sccm。
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