[发明专利]石榴石型光电式电流传感器装置及制备方法有效
| 申请号: | 201310018161.9 | 申请日: | 2013-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN103116057A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
| 发明(设计)人: | 焦新兵;雷文锋;阮长江;张俊杰;马跃;马立新 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
| 主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R15/24 |
| 代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
| 地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石榴石 光电 电流传感器 装置 制备 方法 | ||
1.一种石榴石型光电式电流传感器装置,其特征在于,依次包括光源(1)、输入光纤(2)、输入光纤准直器(3)、石榴石模块(4)、输出光纤准直器(5)、输出光纤(6)、探测器(7),所述石榴石模块(4)为以石榴石为核心的层状模块,包括保护层、永磁薄膜、缓冲层和石榴石,石榴石模块(4)两端最外层为防止永磁薄膜被氧化的保护层(401、407);向内为用于对中间层石榴石(404)提供外加磁场的永磁薄膜(402、406);再向内为缓冲层(403、405);中间为永磁薄膜(404)。
2.根据权利要求1所述石榴石型光电式电流传感器装置,其特征在于,所述保护层为Ta、Cr、SiO2中一种或者一种以上,厚度5nm~1μm。
3.根据权利要求1所述石榴石型光电式电流传感器装置,其特征在于,所述永磁薄膜为钕铁硼、钐钴、铝镍钴中的一种或一种以上,厚度为10nm~50μm。
4.根据权利要求1所述石榴石型光电式电流传感器装置,其特征在于,所述缓冲层为Cr、Ta、Ag、Al中一种或一种以上,厚度为5nm~10μm。
5.根据权利要求1所述石榴石型光电式电流传感器装置,其特征在于,所述永磁薄膜为脊部和沟槽间隔条状分布结构。
6.一种石榴石型光电式电流传感器装置制备方法,沿光路依次设置光源(1)、输入光纤(2)、输入光纤准直器(3)、石榴石模块(4)、输出光纤准直器(5)、输出光纤(6)、探测器(7),其特征在于,所述石榴石模块(4)制备步骤如下:
1)石榴石放置于超声波清洗器中清洗并烘干;
2)采用两片不锈钢掩模版分别压贴于石榴石表面,两掩模版之间夹角固定,夹角范围:0o≤θ≤90o;
3)将石榴石及掩模版放置于薄膜生长系统(磁控溅射仪或者电子束蒸发系统),抽真空;系统本底真空度优1.010-4Pa时,加热石榴石(404)至350~500℃,工作气压为0.2~5Pa;分别生长缓冲层、永磁薄膜,保温1小时;然后升温至550℃~800℃进行二次回火;冷却至室温时生长保护层SiN或者SiO2薄膜;
4)产物从薄膜生长系统中取出,并进行充磁,石榴石材料两侧表面形成条状间隔分布的永磁薄膜,得到石榴石模块。
7.一种石榴石型光电式电流传感器装置制备方法,沿光路依次设置光源(1)、输入光纤(2)、输入光纤准直器(3)、石榴石模块(4)、输出光纤准直器(5)、输出光纤(6)、探测器(7),其特征在于,所述石榴石模块(4)制备步骤如下:
Ⅰ)石榴石放置于超声波清洗器中清洗并烘干;
Ⅱ)将石榴石放置于薄膜生长系统(磁控溅射仪或者电子束蒸发系统),抽真空;系统本底真空度优1.0*10-4Pa时,加热石榴石(404)至350~500℃,工作气压为0.2~5Pa;石榴石前后分别生长缓冲层、永磁薄膜,保温1小时;然后升温至550℃~800℃进行二次回火;冷却至室温时生长保护层SiN或者SiO2薄膜;
Ⅲ)产物从薄膜生长系统中取出,采用激光直刻法对石榴石上的永磁薄膜进行刻蚀,形成脊部与沟槽相间分布的永磁薄膜;永磁薄膜周期小于入射激光波长,其中脊部宽度与周期的比值为0.25~0.75;石榴石两侧的永磁薄膜夹角范围0o≤θ≤90o;对永磁薄膜进行充磁,形成石榴石模块(4)。
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