[发明专利]一种微纳结构太阳能电池及其背面陷光结构的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括步骤：

1）提供一玻璃基底；

2）利用刻蚀工艺刻蚀所述玻璃基底，使得玻璃基底表面为柱状阵列结构；

3）采用离子束刻蚀技术，旋转一预定角度，获到表面为无棱角周期性微纳结构的玻璃基底，该无棱角周期性微纳结构即为陷光结构。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于:利用离子束刻蚀技术刻蚀的时间为2~6min，所述旋转的预定角度为30~60°，屏栅束流为30mA，固定电压为500V。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于：所述步骤2）包括如下步骤：先在所述玻璃基底上制备形成金属层；然后在所述金属层上涂敷光刻胶层，利用光刻技术获得所需要的光刻胶图形；接着刻蚀所述金属层和玻璃基底；去除金属层之后获得表面为柱状阵列结构的玻璃基底。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于：所述金属层的材料为铬Cr，光刻技术中曝光方式为接触式紫外曝光，所述光刻胶图形的线宽为500~1000nm。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于：刻蚀所述金属层采用的是湿法刻蚀工艺，所用的溶液为硝酸铈铵和高氯酸的混合溶液，其中，每100ml的刻蚀液中，硝酸铈铵为5~20g；高氯酸为2~8ml，其余量为水。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于：刻蚀所述玻璃基底采用的是反应离子刻蚀工艺，所用的反应气体为CHF₃，流量为30sccm，所述玻璃基底中被刻蚀出的图形的深宽比为1:1。

7.根据权利要求3所述的太阳能电池背面陷光结构的制备方法，其特征在于：去除金属层所用的腐蚀液与湿法刻蚀所用的溶液相同，为硝酸铈铵和高氯酸的混合溶液。

8.一种微纳结构太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池至少包括：具有无棱角周期性微纳陷光结构的玻璃基底、位于所述玻璃基底上的背电极层、设于所述背电极层上的非晶硅薄膜层、及设于所述非晶硅薄膜层上的前电极层。