[发明专利]光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

第一电极；

所述第一电极上的与该第一电极接触的第一半导体层；

所述第一半导体层上的第二半导体层；

所述第二半导体层上的第三半导体层；以及

所述第三半导体层上的第二电极，

其中，所述第一半导体层包含金属氧化物半导体，

所述第一电极通过所述第一半导体层电连接到所述第二半导体层，

所述第一半导体层不包括用于所述第一电极与所述第二半导体层之间的连接的开口，

所述第一半导体层具有第一导电型，

所述第二半导体层具有所述第一导电型，

所述第三半导体层具有与所述第一导电型相反的第二导电型，

并且，所述第一半导体层的载流子浓度比所述第二半导体层的载流子浓度低。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括所述第三半导体层上的透光薄膜。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述第三半导体层包括与所述第二电极接触的第一区域，并且所述第一区域的载流子浓度比所述第三半导体层的第二区域的载流子浓度高。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述金属氧化物半导体的带隙为2eV以上。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述金属氧化物半导体作为主要成分包含属于元素周期表的第4族至第8族中的任一个的金属。

6.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述金属氧化物半导体包含以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼中的任一个为主要成分的材料。

7.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中所述第二电极位于所述光电转换装置的受光面一侧。

8.一种光电转换装置，包括：

第一电极；

所述第一电极上的与该第一电极接触的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层是第一半导体层，所述氧化物半导体层包含金属氧化物半导体；

所述第一半导体层上的第二半导体层；

所述第二半导体层上的第三半导体层；以及

所述第三半导体层上的第二电极，

其中，所述第一电极通过所述第一半导体层电连接到所述第二半导体层，

所述第一半导体层不包括用于所述第一电极与所述第二电极之间的连接的开口，

所述第二半导体层包含硅，

所述第三半导体层包含硅，

所述第一半导体层具有p型导电型，

所述第二半导体层具有p型导电型，

并且，所述第三半导体层具有n型导电型。

9.根据权利要求8所述的光电转换装置，还包括所述第三半导体层上的透光薄膜。

10.根据权利要求8所述的光电转换装置，其中所述第三半导体层包括与所述第二电极接触的第一区域，并且所述第一区域的载流子浓度比所述第三半导体层的第二区域的载流子浓度高。

11.根据权利要求8所述的光电转换装置，还包括所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第四半导体层，

其中，所述第四半导体层包含硅，

所述第四半导体层具有p型导电型，

并且，所述第四半导体层的载流子浓度比所述第二半导体层的载流子浓度高。

12.根据权利要求8所述的光电转换装置，其中所述金属氧化物半导体的带隙为2eV以上。

13.根据权利要求8所述的光电转换装置，其中所述金属氧化物半导体作为主要成分包含属于元素周期表的第4族至第8族中的任一个的金属。

14.根据权利要求8所述的光电转换装置，其中所述金属氧化物半导体包含以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰、氧化铼中的任一个为主要成分的材料。