[发明专利]一种室温熔盐电沉积制备Ni-Ti表面钽镀层的方法无效
| 申请号： | 201310017025.8 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103074650A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徐君莉;张霞;石忠宁 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C25D3/66 | 分类号： | C25D3/66 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 室温 熔盐电 沉积 制备 ni ti 表面 镀层 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种室温熔盐电沉积制备Ni-Ti表面钽镀层的方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）配制电解质：在卤化锂或双三氟磺酸亚胺锂(CF3SO2)2N--Li的任意一种中添加双三氟磺酸亚胺丁基吡咯（CF3SO2)2N-BPy或氯化丁基吡咯BPy-Cl的任意一种，再添加K2TaF7或TaCl5提供钽源，组成电解质体系；
（2）电沉积制备钽涂层：阳极材料为石墨或金属钽，阴极为Ni-Ti合金，在上述电解质的初晶温度之上10~40℃进行电沉积，电流密度0.005~0.01A/cm2，电解3~5h，在阴极表面得到致密的钽涂层。
2.根据权利要求1所述的一种室温熔盐电沉积制备Ni-Ti表面钽镀层的方法，其特征在于所述的卤化锂为LiCl或LiF。
3.根据权利要求1所述的一种室温熔盐电沉积制备Ni-Ti表面钽镀层的方法，其特征在于所述的电解质组成按质量百分比计为80~90%的双三氟磺酸亚胺丁基吡咯（CF3SO2）2N-BPy、5~15%的双三氟磺酸亚胺锂 (CF3SO2)2N--Li和2~6%的K2TaF7。
4.根据权利要求1所述的一种室温熔盐电沉积制备Ni-Ti表面钽镀层的方法，其特征在于所述的电解质组成按质量百分比计为80~90%的氯化丁基吡咯BPy-Cl、5~15%的卤化锂和2~10%的TaCl5。
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