[发明专利]歪斜的静态随机存取存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

交叉耦合锁存器，包括第一存储节点和第二存储节点；

第一写通道门晶体管，具有耦合在所述第一存储节点与至少一条位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到写字线的控制端子；

第二写通道门晶体管，具有耦合在所述第二存储节点与至少一条互补位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述写字线的控制端子；

第一读通道门晶体管，具有耦合在所述第一存储节点与所述至少一条位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到读字线的控制端子；

第二读通道门晶体管，具有耦合在所述第二存储节点与所述至少一条互补位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述读字线的控制端子；且

其中，所述第一写通道门晶体管和所述第二写通道门晶体管以第一强度水平实现，且其中所述第一读通道门晶体管和所述第二读通道门晶体管以比所述第一强度水平更小的第二强度水平实现；

所述交叉耦合锁存器实现有上拉强度和下拉强度，每个通道门晶体管的强度保持为强于上拉强度并且弱于下拉强度；

其中所述强度能够由相应晶体管的驱动电流被测量。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述至少一条位线包括第一位线，其中所述至少一条互补位线包括第一互补位线，其中所述第一写通道门晶体管和所述第一读通道门晶体管二者都耦合到所述第一位线，且其中所述第二写通道门晶体管和所述第二读通道门晶体管二者都耦合到所述第一互补位线。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述至少一条位线包括读位线和写位线，其中所述至少一条互补位线包括互补读位线和互补写位线，其中所述第一写通道门晶体管耦合到所述写位线，其中所述第二写通道门晶体管耦合到所述互补写位线，其中所述第一读通道门晶体管耦合到所述读位线，且其中所述第二读通道门晶体管耦合到所述互补读位线。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第一强度水平相对于所述上拉强度配置为确定写裕度，且其中所述第二强度水平相对于所述下拉强度配置为确定读裕度。

5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中，所述下拉强度是所述上拉强度的大约三倍，其中所述第一强度水平大于所述上拉强度的两倍，且其中所述第二强度水平小于所述上拉强度的两倍。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述交叉耦合锁存器包括上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管，且其中所述第一和第二写通道门晶体管以及所述第一和第二读通道门晶体管包括NMOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第一和第二强度水平是通过晶体管尺寸和阈值电压确定的。

8.一种存储器阵列，包括：

读字线；

写字线；

多条位线；

多条互补位线；

多个SRAM单元，每个SRAM单元包括：

交叉耦合锁存器，包括第一存储节点和第二存储节点；

第一写通道门晶体管，具有耦合在所述第一存储节点与所述多条位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述写字线的控制端子；

第二写通道门晶体管，具有耦合在所述第二存储节点与所述多条互补位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述写字线的控制端子；

第一读通道门晶体管，具有耦合在所述第一存储节点与所述多条位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述读字线的控制端子；

第二读通道门晶体管，具有耦合在所述第二存储节点与所述多条互补位线中的一条之间的一对电流端子且具有耦合到所述读字线的控制端子；且

其中，所述第一写通道门晶体管和所述第二写通道门晶体管以第一强度水平实现，且其中所述第一读通道门晶体管和所述第二读通道门晶体管以比所述第一强度水平更小的第二强度水平实现；

所述交叉耦合锁存器实现有上拉强度和下拉强度；每个通道门晶体管的强度保持为强于上拉强度并且弱于下拉强度，其中所述强度能够由相应晶体管的驱动电流被测量。

9.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中，所述第一写通道门晶体管和所述第一读通道门晶体管每个都具有耦合到第一位线的电流端子，且其中所述第二写通道门晶体管和所述第二读通道门晶体管每个都具有耦合到第一互补位线的电流端子。