[发明专利]高动态图像传感器及其有源像素有效
| 申请号: | 201310016833.2 | 申请日: | 2013-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN103067676A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
| 发明(设计)人: | 郭同辉;唐冕;陈杰;刘志碧;旷章曲 | 申请(专利权)人: | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 动态 图像传感器 及其 有源 像素 | ||
1.一种有源像素,包括复位晶体管、源跟随晶体管、行选择晶体管和列位线,其特征在于,还包括2个或者2个以上置于半导体基体中的感光元件,每个感光元件对应连接一个电荷传输晶体管的源极,多个电荷传输晶体管的栅极相互连接在一起,多个电荷传输晶体管漏极相互连接在一起作为漂浮节点。
2.根据权利要求1所述的有源像素,其特征在于,多个感光元件中,至少一个感光元件的上方覆盖有金属层,不同感光元件上方的金属层覆盖面积不同。
3.根据权利要求2所述的有源像素,其特征在于,多个感光元件的面积大小相同或不相同。
4.根据权利要求3所述的有源像素,其特征在于,所述感光元件有四个,第一感光元件201的上方不覆盖金属层,第二感光元件202上方覆盖1/2感光元件面积的金属层,第三感光元件203上方覆盖3/4感光元件面积的金属层,第四感光元件204上方覆盖7/8感光元件面积的金属层。
5.根据权利要求1所述的有源像素,其特征在于,所述感光元件包括光电二极管、PIN型光电二极管、部分PIN型光电二极管或者多晶硅栅型光电二极管。
6.一种高动态图像传感器,包括像素矩阵阵列,其特征在于,所述像素矩阵阵列包括在垂直和水平方向上以矩阵方式排列的若干权利要求1至5任意一项所述的有源像素。
7.根据权利要求6所述的高动态图像传感器,其特征在于,该图像传感器还包括像素阵列控制电路、处理电路、记忆元件和输入输出电路,每个部分形成于单独的硅基体上,并集成于一个独立的芯片上。
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