[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成交替层叠有多个第一层间绝缘层和多个牺牲层的结构；

形成构造为穿通所述结构的主沟道孔；

在所述主沟道孔的内壁上顺序地形成初级电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层；

形成构造为穿通每个主沟道孔的两侧的所述多个牺牲层和所述多个第一层间绝缘层的沟槽；以及

通过将所述第一层间绝缘层的内侧上的所述初级电荷陷阱层氧化，来形成绝缘氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，针对每个单元，所述初级电荷陷阱层被所述绝缘氧化物层分隔开。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初级电荷陷阱层包括硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初级电荷陷阱层包括基于氮化物的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘氧化物层的步骤包括以下步骤：

去除被所述沟槽暴露出来的所述第一层间绝缘层；

将因去除了所述第一层间绝缘层而暴露出来的所述初级电荷陷阱层氧化；以及

在去除了所述第一层间绝缘层的空间中形成第二层间绝缘层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括刻蚀速率与所述第一层间绝缘层的刻蚀速率不同的材料。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述绝缘氧化物层之后，去除被所述沟槽暴露出来的所述牺牲层；和

在去除了所述牺牲层的空间中顺序地形成电荷阻挡层和栅电极。

8.根据权利要求3所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述绝缘氧化物层之后，去除被所述沟槽暴露出来的所述牺牲层；和

将因去除了所述牺牲层而暴露出来的所述初级电荷陷阱层氮化。

9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二层间绝缘层包括刻蚀速率与所述牺牲层的刻蚀速率不同的材料。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：在形成所述栅电极之后在所述沟槽内形成绝缘层。

11.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成具有牺牲图案的管道连接栅电极；

在所述管道连接栅电极之上形成交替层叠有多个第一层间绝缘层和多个牺牲层的结构；

通过选择性刻蚀所述结构形成暴露出所述牺牲图案的主沟道孔对；

通过去除所述牺牲图案形成次沟道孔，所述次沟道孔被构造成与所述主沟道孔对耦接；

在所述主沟道孔对和所述次沟道孔的内壁上顺序地形成初级电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层；

在所述主沟道孔对的每个主沟道孔的两侧形成被构造成穿通所述多个牺牲层和所述多个第一层间绝缘层的沟槽；以及

通过将在所述第一层间绝缘层内侧上的所述初级电荷陷阱层氧化，来形成绝缘氧化物层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，对于每个单元，所述初级电荷陷阱层被所述绝缘氧化物层分隔开。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述初级电荷陷阱层包括硅。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述初级电荷陷阱层包括基于氮化物的材料。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述绝缘氧化物层的步骤包括以下步骤：

去除被所述沟槽暴露出来的所述第一层间绝缘层；

将因去除了所述第一层间绝缘层而暴露出来的所述初级电荷陷阱层氧化；以及

在去除了所述第一层间绝缘层的空间中形成第二层间绝缘层。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述牺牲层包括刻蚀速率与所述第一层间绝缘层的刻蚀速率不同的材料。

17.根据权利要求11所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述绝缘氧化物层之后，去除由被所述沟槽暴露出来的所述牺牲层；和

在去除了所述牺牲层的空间中顺序地形成电荷阻挡层和栅电极。