[发明专利]一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201310016601.7 | 申请日: | 2013-01-17 |
公开(公告)号: | CN103014627A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 李晓娜;郑月红;董闯 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/35 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 花向阳 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调制 宽度 fe si al 三元 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜,其特征在于:具有如下通式: Fe(1-x-y)SixAly,其中:50at.%≤x≤70 at.%,1at.% ≤y≤11at.%,当60 at.% ≤ (x+y) ≤75 at.%时,该非晶薄膜材料的带隙宽度从0.45 eV增加到0.65eV,薄膜结构始终为非晶态。
2.根据权利要求1所述的可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜的制备方法,其特征在于:采用下列步骤:
(一)制备合金溅射靶材,其步骤如下:
①备料:按照Fe与Al原子百分比分别为4:0.15,4:0.5,4:1称取各组元量值,待用Fe、Al金属原料的纯度:Fe为99. 99 %,Al为99. 999%;
②合金锭的熔炼:熔炼Fe4Alz合金,其中z=0.15、0.5、1;将三组金属的混合料分别放在熔炼炉的水冷铜坩埚内,采用真空电弧熔炼的方法在氩气的保护下进行熔炼,首先抽真空至10-2Pa,然后充入氩气至气压为0.03±0.01MPa,熔炼电流密度的控制范围为150±10A/cm2,熔化后,再持续熔炼10秒钟,断电,让合金随铜坩埚冷却至室温,然后将其翻转,重新置于水冷铜坩埚内,进行第二次熔炼;前述过程反复熔炼至少3次,得到成分均匀的Fe4Alz合金锭;
③合金棒的制备:将步骤②中熔炼的Fe4Al0.15、Fe4Al0.5、Fe4Al1合金锭分别置于连有负压吸铸装备的水冷铜坩埚内,在氩气保护下用上述真空电弧熔炼法熔炼合金,首先抽真空至10-2Pa,然后充入氩气至气压为0.03±0.01MPa,熔炼所用电流密度为150±10A/cm2,熔化后,再持续熔炼10秒钟,断电,同时开启负压吸铸装置,让合金熔体充入圆柱形铜模型腔中,冷却至室温,得到要求规格的Fe4Alz合金棒;
④合金贴片的制备:用低速锯将步骤③中制备好的合金棒分别切成所需厚度的合金小片;
⑤合金溅射靶材的制备:用导电银胶将所需个数的Fe4Alz合金片粘贴在溅射所用纯度为99.999%的基础Si靶上,或者将Fe4Alz合金片直接镶嵌到有孔的纯度为99.999%基础Si靶上制成组合合金溅射靶材;
(二)制备Fe-Si-Al系三元非晶薄膜,其步骤如下:
①磁控溅射薄膜制备的Si(100)和Al2O3(0001)基片清洗:两种基片都需经过丙酮、酒精和去离子水超声波清洗各10分钟;另外Si基片还需放入5%的HF中浸泡2~3分钟,取出再用去离子水冲洗干净;最后用N2将两种基片吹干后放入真空室;
②磁控溅射设备抽真空:样品和靶材都放入真空室后,设备机械泵粗抽真空至5Pa以下,然后采用分子泵进行精抽真空,真空度抽至8.0×10-4Pa;
③真空度达到所需的高真空后,充入纯度为99.999%的氩气至气压2Pa,让靶材起辉,然后调节氩气流量到10.0Sccm,工作气压调制0.5Pa,溅射功率85~120W,靶基距为8~12cm,溅射时间为60~90min,溅射完毕后,设备冷却30min,取出三元Fe-Si-Al薄膜样品。
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