[发明专利]一种OLED画素结构及OLED面板有效
申请号: | 201310015904.7 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103050507A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 李纯怀 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 结构 面板 | ||
技术领域
本发明属于显示领域,更具体的说,涉及一种OLED画素结构及OLED面板。
背景技术
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是指主动矩阵有机发光二极体面板,以下简称OLED面板,OLED面板包括基板,现有技术中是采用蒸镀工艺把有机材料蒸镀在基板上,以形成发光区域,目前的方法是采用蒸镀掩膜板先对红色发光区域进行蒸镀,然后移动蒸镀掩膜板对绿色发光区域进行蒸镀,最后移动蒸镀掩膜板再对蓝色发光区域进行蒸镀。如图1所示,目前的OLED面板基板上的R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)像素ITO与开关管(TFT)像素电路采用横向并列方式排列,由于蒸镀掩膜板本身的制作误差及与基板的对位误差之和一般为15μm,有可能造成有色发光区域混色的问题,为了避免混色,需要使不同颜色的有色发光区域之间的间距D0至少为30μm,这样的设计会大大影响画素的开口率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能提高画素开口率的OLED画素结构及OLED面板。
本发明的技术方案为:一种OLED画素结构,包括多个平行布置的有色发光区域,每种颜色的有色发光区域又被分为中间区域、左侧区域和右侧区域,中间区域与左侧区域、中间区域与右侧区域之间均设有间距,所述左侧区域、中间区域和右侧区域的阳极通过开关管与第一基准电压连接,中间区域的阴极连接到第二基准电压,左侧区域的阴极连接到第一接口,右侧区域的阴极连接到第二接口。
优选的,所述左侧区域和右侧区域的宽度为H,5μm≤H≤9.5μm。
优选的,所述中间区域与左侧区域、中间区域与右侧区域之间的间距为D1,3μm≤D1≤5μm。
优选的,所述相邻的不同颜色的有色发光区域之间的间距为D2,5μm≤D2≤10μm。
本发明的另一种技术方案为:一种OLED面板,包括基板和蒸镀在基板上的画素,所述画素包括多个平行布置的有色发光区域,每种颜色的有色发光区域又被分为中间区域、左侧区域和右侧区域,中间区域与左侧区域、中间区域与右侧区域之间均设有间距,所述左侧区域、中间区域和右侧区域的阳极通过开关管与第一基准电压连接,左侧区域的阴极连接到第一接口,中间区域的阴极连接到第二基准电压,右侧区域的阴极连接到第二接口;当左侧区域发生混色时,使第一接口与第一基准电压连接,当左侧区域未发生混色时,使第一接口与第二基准电压连接;当右侧区域发生混色时,使第二接口与第一基准电压连接,当右侧区域未发生混色时,使第二接口与第二基准电压连接。
优选的,所述OLED面板还包括多工器,所述第一接口和第二接口通过所述多工器选择性地与第一基准电压或第二基准电压连接。
优选的,所述左侧区域和右侧区域的宽度为H,5μm≤H≤9.5μm。
优选的,所述中间区域与左侧区域、中间区域与右侧区域之间的间距为D1,3μm≤D1≤5μm。
优选的,所述相邻的不同颜色的有色发光区域之间的间距为D2,5μm≤D2≤10μm。
优选的,所述中间区域与左侧区域、中间区域与右侧区域之间的间距为D1,D1=3μm,所述相邻的不同颜色的有色发光区域之间的间距为D2,D2=5μm。
本发明的有益效果为:本发明把画素的每种颜色的有色发光区域进行了分割,并减小相邻不同颜色有色发光区域的间距,由于不同颜色有色发光区域的中间区域间距较大,不会发生混色,只有左侧区域或右侧区域才有可能会发生混色现象,中间区域的阳极通过开关管与第一基准电压连接,中间区域的阴极连接到第二基准电压,所以始终能够正常工作;当左侧区域和右侧区域均未发生混色时,使第一接口和第二接口与第二基准电压连接,左侧区域和右侧区域都能够正常工作。
当左侧区域发生混色时,使第一接口与第一基准电压连接,左侧区域连接的电极就无电流通过,左侧区域就不会发光;同理,当右侧区域发生混色时,使第二接口与第一基准电压连接,右侧区域连接的电极就无电流通过,右侧区域就不会发光,所以保证了画素具有较高的色纯度,又由于蒸镀掩膜板在对位时一般情况下要么向左侧偏,要么向右侧偏,所以左侧区域和右侧区域至少有一侧是无混色的,从而提高画素的开口率。
附图说明
图1是现有技术中画素的结构示意图;
图2是本发明所述画素实施例的结构示意图;
图3是本发明所述画素的线路图;
图4是当左侧区域混色时,第一接口与第一基准电压连接的线路图;
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