[发明专利]成像元件和相机系统有效
申请号: | 201310015512.0 | 申请日: | 2010-11-26 |
公开(公告)号: | CN103094294B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 西原利幸;角博文 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 周少杰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 相机 系统 | ||
1.一种成像元件,包括:
具有栅极、源极和漏极的放大晶体管;
半导体基底内的光电二极管,来自所述光电二极管的信号电荷可传送到所述栅极,
其中,所述源极和所述漏极在绝缘体上的硅层内,氧化绝缘膜将所述绝缘体上的硅层与所述半导体基底电隔离,并且
高浓度层在所述光电二极管和内埋氧化膜之间,所述内埋氧化膜在所述高浓度层和所述绝缘体上的硅层之间。
2.如权利要求1所述的成像元件,其中,所述氧化绝缘膜在所述绝缘体上的硅层和所述半导体基底之间。
3.如权利要求2所述的成像元件,其中,所述高浓度层和所述半导体基底是相同导电类型。
4.如权利要求1所述的成像元件,其中,所述绝缘体上的硅层和所述半导体基底是相同导电类型。
5.如权利要求1所述的成像元件,其中,所述光电二极管将光子转换为所述信号电荷,所述光子入射在所述光电二极管上。
6.如权利要求1所述的成像元件,其中,所述半导体基底处于参考电势。
7.如权利要求6所述的成像元件,其中,所述参考电势是地。
8.如权利要求1所述的成像元件,其中,所述栅极电连接到扩散层,所述扩散层在所述半导体基底内。
9.如权利要求8所述的成像元件,其中,所述扩散层的导电类型与所述半导体基底的导电类型相反。
10.如权利要求8所述的成像元件,其中,重置晶体管的源极是所述扩散层,所述扩散层是传送晶体管的源极。
11.如权利要求10所述的成像元件,其中,所述传送晶体管执行所述信号电荷的传送,所述信号电荷的所述传送是从所述光电二极管到所述扩散层。
12.如权利要求11所述的成像元件,其中,所述传送晶体管的栅极电连接到传送线,所述传送线上的信号电势控制所述信号电荷的所述传送。
13.如权利要求10所述的成像元件,其中,所述重置晶体管执行源电势的传送,所述源电势的所述传送是从所述重置晶体管的漏极到所述扩散层。
14.如权利要求13所述的成像元件,其中,所述重置晶体管的栅极电连接到重置线,所述重置线上的信号电势控制所述源电势的所述传送。
15.如权利要求1所述的成像元件,其中,所述光电二极管的存储层是所述半导体基底的一部分,所述存储层的导电类型与所述半导体基底的导电类型相反。
16.如权利要求15所述的成像元件,其中,所述存储层在所述半导体基底的另一部分和所述光电二极管的光接收表面之间,所述另一部分和所述光接收表面具有相同导电类型。
17.如权利要求16所述的成像元件,其中,所述另一部分在扩散层和所述存储层之间,所述另一部分是用于所述传送晶体管的沟道区。
18.如权利要求1所述的成像元件,其中,入射在所述光电二极管上的光子被转换为所述信号电荷,所述光电二极管上光子的存在或不存在从所述源极输出为电信号。
19.如权利要求18所述的成像元件,其中,感测电路接收所述电信号,确定结果汇集电路部分对在一时间段期间的所述光子的所述存在计数。
20.一种相机系统,包括:
光学系统,配置为将入射光引导到如权利要求19所述的成像元件上,所述成像元件输出图像信号;
信号处理器,配置为处理所述图像信号,所述图像信号在处理后变为视频信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的