[发明专利]存储器编程方法和存储器有效
申请号: | 201310015340.7 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103928044A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 万和舟;周绍禹 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/18 | 分类号: | G11C7/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 编程 方法 | ||
1.一种存储器编程方法,其特征在于,包括:
确定存储器的每列存储单元中连续且编码值为第一编码值的多个单元节点;
对于每列存储单元,在连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中,将位于端部位置的单元节点的源极和漏极中的一个连接至第一电压线和第二电压线中之一,将源极和漏极中的另一个悬空不接。
2.根据权利要求1所述的存储器编程方法,其特征在于,对于连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中位于非端部位置的单元节点,该单元节点的源极和漏极与所述第一电压线和所述第二电压线均不连接。
3.根据权利要求1所述的存储器编程方法,其特征在于,进一步包括:
将所述存储器的每列存储单元划分为多个子组,其中,将被连续且编码值为第一编码值的单元节点隔开的单元节点划分为一个子组,每个子组内不包括编码值为第一编码值且连续的单元节点。
4.根据权利要求3所述的存储器编程方法,其特征在于,进一步包括:
将每个子组内编码值为第二编码值的单元节点的源极和漏极中的一个与所述第一电压线相连接,该单元节点的漏极或源极中的另一个与所述第二电压线相连接。
5.根据权利要求3所述的存储器编程方法,其特征在于,进一步包括:
将每个子组内编码值为第一编码值的单元节点的源极和漏极与所述第一电压线或所述第二电压线相连接。
6.根据权利要求3所述的存储器编程方法,其特征在于,进一步包括:
确定每个子组内参考节点的连接方式,并根据确定的参考晶体管的连接方式确定该子组内其他晶体管的连接方式,其中,如果(a+c)>=(b+d),则确定将所述参考节点的漏极连接至所述第一电压线,并将所述参考节点的源极连接至所述第二电压线;如果(a+c)<(b+d),则确定将所述参考节点的源极连接至所述第一电压线,并将所述参考节点的漏极连接至所述第二电压线;
其中,参考节点为预定的编程方向上该子组内的首个编码值为第二编码值的单元节点,a为该子组内第m个编码值为第二编码值的单元节点的数量,m为奇数,b为该子组内第n个编码值为第二编码值的单元节点的数量,n为偶数,c为紧邻该子组内第m个编码值为第二编码值的单元节点之后的编码值为第一编码值的单元节点的数量,d为紧邻该子组内第n个编码值为第二编码值的单元节点之后的编码值为第一编码值的单元节点的数量。
7.根据权利要求3所述的存储器编程方法,其特征在于,进一步包括:
将满足以下条件的单元节点的源极或漏极连接至所述第一电源线电压线和所述第二电源线电压线中之一,将漏极或源极中的另一个悬空不接:
该单元节点位于所述存储器每一列存储单元的端部位置;
该单元节点的编码值为第一编码值;
该单元节点邻近的单元节点的编码值为第二编码值。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的存储器编程方法,其特征在于,所述第一电压线为VSS线,所述第二电压线为位线。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的存储器编程方法,其特征在于,
对于所述存储器的每个单元节点,在预定的编程方向上,该单元节点的晶体管的漏极与下一单元节点的晶体管的源极共享。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的存储器编程方法,其特征在于,所述第一编码值为0,所述第二编码值为1;或者,所述第一编码值为1,所述第二编码值为0。
11.一种存储器,包括多个单元节点,其特征在于,
对于所述存储器的每列存储单元,连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中位于端部位置的单元节点的源极和漏极中的一个连接至第一电压线和第二电压线中之一,源极和漏极中的另一个悬空不接。
12.根据权利要求11所述的存储器,其特征在于,对于连续且编码值为第一编码值的多个单元节点中位于非端部位置的单元节点,该单元节点的源极和漏极与所述第一电压线和所述第二电压线均不连接。
13.根据权利要求11所述的存储器,其特征在于,所述存储器的每列存储单元被划分为多个子组,其中,将被连续且编码值为第一编码值的单元节点隔开的单元节点划分为一个子组,每个子组内不包括编码值为第一编码值且连续的单元节点。
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