[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 201310015142.0 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103928386B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：
1）提供一半导体衬底，在衬底上生长衬垫氧化层，而后沉积硬掩膜层；
2）涂布光刻胶以及曝光显影，接着刻蚀所述硬掩膜层、衬垫氧化层及衬底，在所述衬底上形成沟槽并去除光刻胶；
3）在所述沟槽内热生长氧化层填充所述沟槽至所述硬掩膜层表面；
4）去除所述步骤3）形成的结构中的所述衬垫氧化层及硬掩膜层，而后对所述氧化层两侧进行湿法刻蚀直至暴露出部分所述沟槽的侧壁，且使所述氧化层侧壁形成腰形凹陷；
5）在所述步骤4）获得结构的衬底表面形成与该衬底同种材料的填充层以填平所述沟槽及氧化层侧壁的腰形凹陷，而后进行化学机械抛光，此时形成于衬底中的氧化层构成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述步骤5）中在所述衬底表面形成填充层采用外延生长工艺。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述外延生长的温度为600~800℃和压强为400~600Torr。
4.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：外延生长的同时，对所述填充层进行掺杂以增加所述填充层的应力。
5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述步骤5）形成所述填充层时，同时通入含Ge元素的掺杂源或通入含C元素的掺杂源。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述步骤5）中在所述衬底表面形成填充层是先采用沉积工艺及化学机械抛光工艺，而后进行离子注入，再进行激光退火或尖峰退火。
7.根据权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述沉积工艺为化学气相沉积或物理气相沉积。
8.根据权利要求1或7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述步骤5）中形成所述填充层是指沉积多晶硅至所述衬底表面并对其进行化学机械抛光，而后对所述多晶硅进行离子注入将多晶硅转化为非晶硅，再进行激光退火或尖峰退火将非晶硅进行融晶并同时液相外延形成单晶硅。
9.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：对所述多晶硅离子注入硅离子、锗离子、锡离子或氮离子。
10.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：离子注入时，能量为10~50KeV，剂量为1E15~1E16cm-2。
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