[发明专利]形成穿过封闭封装件的密封电馈通件的方法及设置有至少一个所述电馈通件的封闭封装件

说明书

技术领域

本公开内容属于密封的封闭封装件(sealed encapsulation package)领域，更具体地属于检测器的领域，特别属于电磁辐射的领域，更具体地属于冷却红外辐射的领域。 

背景技术

在低温下红外检测(也就是说，实现量子现象)的领域中，检测器应当冷却到通常在50K与200K之间的范围内的非常低的温度。 

出于此目的，这种检测器常规地与低温保持器壳体(也称为低温恒温器)相关联，使得能够根据检测器使用温度、通过提供有液态氦或液态空气或者甚至液态氮的指形冷冻器(cold finger)或者再者通过低温发生器装置来冷却低温保持器。 

此外，发生器本身通常在真空中被封闭在密封封装件中。 

这种类型的检测器遇到的不同难点之一是由需要电连接器所产生的问题，也就是说，将由检测器产生的电信号传送到包含此检测器的密封封装件的外部以使得能够处理这些电信号。 

实际上，最常见地，这种连接器元件必须在不影响封装件的密封性的情况下穿过封装件以保持封装件中的真空。 

事实上，迄今为止，实施了不同的技术以确保这种连接器的跨接(crossing)。 

这种技术包括，首先最重要的是，共烧陶瓷技术。该技术可以以分别在图1和图2中示出的两种方式实现，图1和图2二者示出了部件封闭封装件的简化截面视图。 

在第一实施方案中，封装件通过由FeCoNi合金(通常为)制成(因为其具有小的热膨胀系数)的基底1来限定。基底1还承载有由HTCC共烧陶瓷(代表高温共烧陶瓷(High Temperature CofiredCeramic)的首字母缩略词)制成的周边框4和由制成的周边框3。 基底1、周边框4和周边框3被钎焊在一起。然后，这样形成的组合件具有用于封闭通过激光焊接安装在其上的封装件的盖或框2。 

在由此限定的封装件内，在封闭之前，通过接合或低温钎焊在基底1上附接部件5。 

附图标记6用于指代以下导线电连接：其源自部件5，并且到达由共烧陶瓷制成的下部框4的水平，提供用于使信号借助于金通孔或金走线(track)传到封装件的外部的馈通。 

在图2所示第二实施方案中，用由共烧陶瓷制成的基底7代替基底1。封装件的其余部分与前述实施方案基本上保持一致，并且所述基底这次用于提供用于源自部件的电连接件的密封电馈通(sealed electricfeedthrough)。 

在两个实施方案中，置于基底水平处或下部周边框水平处的共烧陶瓷，都同时具有机械功能，即固定封装件盖或封装件底部的功能；以及电功能，也就是说，传递源自部件的连接。虽然这两种技术目前都得到良好的控制并且具有许多优点，特别是在简易性和效率方面，而且框的机械焊接提供期望的密封性，然而，它们具有的主要缺点是限制了封装件尺寸，进而限制了能够封装的一个或更多个部件的尺寸。 

实际上，尽管使用作为因其具有低的热膨胀系数而著称的合金的 但是仍然存在陶瓷和该材料的差异膨胀的问题，对于气密性封装件而言只要超过60毫米×60毫米的尺寸，所述问题就迅速成为禁止性的。实际上，当通常在接近800℃的温度下将多个部分钎焊在一起时， 和陶瓷之间的差异膨胀会变得过大。 

也可以使用另一种技术。该技术包括使用共烧陶瓷插入件，该共烧陶瓷插入件在此再次被用作密封的电馈通件。已关于图3和图4示出该技术的两个实施方案。 

在图3中，陶瓷插入件18布置在与上盖12配合限定封装件的基底10的侧壁之一的水平处。该插入件钎焊在上述侧壁上。 

在图4中，插入件19被钎焊在封装件的基底10的底部的水平处。 

无论怎样，该第二技术的实施方案都没有尺寸限制。然而，该技术具有的缺点为插入件和基底之间的相对弱的连接。实际上，如果非有意地在插入件边缘的一个边缘上施压，这可能会使插入件相对于其在侧壁上的支承区域倾斜，从而产生改变所得到的封装件的密封性的危险。另外，因为 需要在陶瓷插入件的侧面和表面上进行金属化和钎焊，所以使实施更加复杂。 

本发明目的在于克服这些不同的缺点。 

发明内容

首先本发明的一个目的在于提供一种用于形成穿过封闭封装件、特别是通过用于电子部件、光学部件或光电部件的封闭封装件的密封电馈通件的方法。 

该方法包括： 

-在封装件壁中的一个壁中、并且有利地是在所述封装件的底部中有利地形成贯通开口；以及