[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201310014821.6 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103474482A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 李永贤;朴相昱;秦胤实 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,该太阳能电池包括:
基板;
设置在所述基板处的选择性发射极区,该选择性发射极区包括轻掺杂区和重掺杂区;
设置在所述选择性发射极区上的第一介电层,该第一介电层包括彼此分离的多个第一开口以及围绕所述多个第一开口设置的多个第二开口;
第一电极,其通过所述多个第一开口和所述多个第二开口连接至所述选择性发射极区;以及
第二电极,其被设置在所述基板上并连接至所述基板,
其中,所述多个第一开口和所述多个第二开口各自具有不同的平面形状。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述多个第一开口的所述平面形状具有线形状,并且所述多个第二开口的所述平面形状具有点形状。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中,所述多个第二开口被设置在各个第一开口的两侧中的每一侧上。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述各个第一开口的宽度是大约8μm至12μm,并且
其中,设置在所述各个第一开口的两侧中的每一侧上的所述多个第二开口之间的最大距离是大约10μm至25μm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述选择性发射极区的所述重掺杂区具有与所述多个第一开口相同的平面形状。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一介电层被设置在所述多个第一开口和所述多个第二开口之间。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一电极包括设置在所述选择性发射极区的通过所述第一开口和所述第二开口暴露的表面上的籽晶层以及设置在所述籽晶层上的导电金属层。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述籽晶层包含镍Ni,并且所述导电金属层包含铜Cu和锡Sn或者包含银Ag。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述第一电极包括设置在所述基板的第一表面上的多个第一指状电极以及设置在所述基板的所述第一表面上并在与所述多个第一指状电极交叉的方向上形成的多个第一总线条电极。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述第一介电层包括至少一个第三开口以及围绕所述至少一个第三开口设置的多个第四开口,并且
其中,所述多个第一总线条电极通过所述第三开口和所述第四开口连接至所述选择性发射极区。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述至少一个第三开口被设置在一个第一总线条电极下方。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,至少两个第三开口被设置在一个第一总线条电极下方。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池,其中,所述基板的所述第一表面的除所述第一开口和所述第三开口的形成区域之外的剩余区域具有纹理化表面。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,所述基板的所述第一表面中的所述第一开口和所述第三开口的所述形成区域具有基本平坦的表面。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池,其中,所述第一介电层被设置在所述至少一个第三开口和所述多个第四开口之间。
16.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述第二电极包括:多个第二总线条电极,其被设置在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上的与所述多个第一总线条电极对应的位置处;以及表面电极,其被设置在所述基板的所述第二表面上的所述第二总线条电极之间,并且
其中,所述表面电极完全覆盖所述第二总线条电极之间的所述第二表面。
17.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述第二电极包括:多个第二总线条电极,其被设置在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上的与所述多个第一总线条电极对应的位置处;以及多个第二指状电极,其被设置在所述基板的所述第二表面上并在与所述第二总线条电极交叉的方向上形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310014821.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的