[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置无效
| 申请号： | 201310014811.2 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103794518A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 山口胜启 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，制造如下的半导体装置：其被构成为，将上表面搭载有半导体芯片的金属板的下表面经由绝缘层接合于散热板的上表面，利用塑模树脂体对所述半导体芯片、所述金属板和所述散热板进行密封，所述绝缘层至少具备设于所述散热板侧的第一树脂层和设于所述金属板侧的第二树脂层，
该制造方法的特征在于包括：
接合步骤，形成散热板结构体，该散热板结构体是通过如下方式得到的：隔着所述第一树脂层和所述第二树脂层对所述金属板和所述散热板进行固定，夹着硬化度相对高的所述第一树脂层和硬化度相对低的所述第二树脂层而对所述金属板和所述散热板进行接合；和
硬化步骤，对所述散热板结构体的所述第一树脂层和所述第二树脂层实施热处理，使所述第一树脂层和第二树脂层完全硬化，
在所述硬化步骤中，使所述第二树脂层比所述第一树脂层更快地完全硬化。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述硬化步骤中，使热硬化性树脂硬化而形成所述塑模树脂体。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述硬化步骤中，
在第一期间内，所述第一树脂层的硬化度比所述第二树脂层的硬化度高，
在所述第一期间后的第二期间内，将所述第二树脂层的硬化度设定为比所述第一树脂层的硬化度高，
在所述第二期间内使所述第一树脂层和第二树脂层完全硬化。
4.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置是通过权利要求1所述的半导体装置的制造方法来制造的。
5.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置是通过权利要求2所述的半导体装置的制造方法来制造的。
6.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置是通过权利要求3所述的半导体装置的制造方法来制造的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
