[发明专利]一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法

说明书

技术领域

本发明属于电容器制造领域，特别是涉及一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法。

背景技术

氧化铌电容器是一种以一氧化铌粉作为核心材料的新型电解电容器，它不但具有钽电容器体积小、容量大、损耗角正切小、电性能稳定的优点，还具有使用电压降幅小、不燃烧特点，因此氧化铌电容器成为高速处理的低电压低功耗电子装备首选产品。

目前，石墨、银浆层作为铌电容器的阴极，铌电容器石墨、银浆层的传统制备方法如下：将被膜好的钽铌块浸入水性石墨，高温固化冷却后浸入油性石墨，最后浸入银浆。氧化铌电容器采用这种传统石墨、银浆层的制备方法的缺点是：电容器在高温125℃下容量变化大，电容器会因为环境温度过高而导致输出波形失真、电路无法正常工作。

发明内容

针对上述问题，本发明旨在提供一种片式氧化铌电容器的石墨、银浆层制备方法，利用该方法制造的氧化铌电容器在125℃下容量变化满足技术标准要求，并能够在125℃的环境下维持正常工作。

本发明采取的技术方案为：

一种片式氧化铌电容器石墨、银浆层制备方法，所述该方法包括以下步骤：

1）将被膜好的氧化铌块芯子浸入水性石墨，浸渍深度为芯子高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；

2）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5～10min，再放入140～200℃烘箱内固化10～60min；

3）氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸渍深度为芯子总高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；

4）取出后，将浸渍过苯甲醇溶液的芯子浸入油性石墨，浸渍深度为芯子总高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；

5）缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5～10min，再放入140～200℃烘箱内固化10～60min；

6）将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入银浆，浸渍深度为芯子总高度的3/4～4/5，浸渍时间为1～10S；

7）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5～10min，再放入160～230℃烘箱内固化10～60min。

作为本发明的进一步优选方案，所述步骤1）水性石墨按照体积比为原瓶石墨:去离子水=1:（2～10）配制。

作为本发明的进一步优选方案，所述步骤4）油性石墨按照体积比为原瓶石墨:苯甲醇=1:（1～5）配制。

作为本发明的进一步优选方案，所述步骤6）银浆按照体积比为原瓶银浆:乙酸丁酯=1:（2～10）配制。

本发明由于采用了在油性石墨前增加浸渍苯甲醇溶液的处理工艺，有效的抑制了片式氧化铌电容器在高温125℃容量变化，提高了氧化铌电容器在高温环境中的可靠性和稳定性。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步描述，在此发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明，但并不作为对本发明的限定。

实施例1

1）将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨:去离子水=1:2的水性石墨，浸渍深度为芯子高度的3/4，浸渍时间为3S；

2）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置5min，再放入140℃烘箱内固化10min；

3）氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸渍深度为芯子总高度的3/4，浸渍时间为3S；

4）取出后，将浸渍过苯甲醇溶液的芯子浸入体积比为原瓶石墨:苯甲醇=1:2的油性石墨，浸渍深度为芯子总高度的3/4，浸渍时间为3S；

5）缓慢取出，用电容器纸吸掉芯子底部多余的油性石墨，室温放置5min，再放入140℃烘箱内固化10min；

6）将上述氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入体积比为原瓶银浆:乙酸丁酯=1:2的银浆，浸渍深度为芯子总高度的3/4，浸渍时间为3S；

7）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的银浆，室温放置5min，再放入160℃烘箱内固化10min。

实施例2

1）将被膜好的氧化铌块芯子浸入体积比为原瓶石墨:去离子水=1:10的水性石墨，浸渍深度为芯子高度的4/5，浸渍时间为10S；

2）取出后，用电容器纸吸掉芯子底部多余的水性石墨，室温放置10min，再放入200℃烘箱内固化60min；

3）氧化铌块芯子取出冷却至室温，浸入苯甲醇溶液，浸渍深度为芯子总高度的4/5，浸渍时间为10S；