[发明专利]一种采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法

权利要求书

1.一种采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于将含土霉素的废水加入到电晕放电反应装置的反应容器中，所述的反应容器内设有针式中空高压电极和板式接地电极，且水面没过所述的板式接地电极和针式中空高压电极，先将空气通入到所述针式中空高压电极中，然后将高频电源输入的电流通入所述针式中空高压电极进行电晕放电，产生低温等离子体对含土霉素废水进行处理，将废水中的土霉素降解；所述高频电源放电的电压峰值为8000~12000，电流峰值为20~50mA，产生的放电频率为2.5~30kHz。

2.根据权利要求1所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于所述针式中空高压电极与板式接地电极的间距为6~10cm，优选为8 cm。

3.根据权利要求1所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于所述的含土霉素废水中土霉素的浓度为100~250mg/L，优选为150~200 mg/L。

4.根据权利要求1所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于低温等离子体对含土霉素废水进行处理的时间为1~12min，优选为6~10min。

5.根据权利要求1所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于所述的含土霉素废水的pH为2~10，优选为2~4或10~11。

6.根据权利要求1所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于所述通入到所述针式中空高压电极中的空气的流量为0.01~0.2m³/h，优选为0.02~0.1m³/h。

7.根据权利要求1所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于所述高频电源的输出功率为20~500 W。

8.根据权利要求1或6所述的采用低温等离子体技术处理含土霉素废水的方法，其特征在于所述通入到所述针式中空高压电极中的空气为湿空气。