[发明专利]半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种能提高产品良率的半导体封装件及其制法。

背景技术

随着半导体技术的演进，半导体产品已开发出不同封装产品型态，而为追求半导体封装件的轻薄短小，因而发展出一种芯片尺寸封装件(chip scale package,CSP)，其特征在于此种芯片尺寸封装件仅具有与芯片尺寸相等或略大的尺寸。

然而，上述CSP结构的缺点在于重布线技术的施用或布设于芯片上的导电迹线往往受限于芯片的尺寸或其作用面的面积大小，尤其当芯片的积集度提升且芯片尺寸日趋缩小的情况下，芯片甚至无法提供足够表面以安置更多数量的焊球来与外界电性连接。鉴此，发展出一种具有扇出结构的封装件，此种封装件通过于芯片上形成增层，得提供较为充足的表面区域以承载较多的输入/输出端或焊球。

图1A至图1F为现有具有扇出结构的半导体封装件1的制法的剖面示意图。

如图1A、图1A’及图1A”所示，提供一承载件10及一半导体基材11’。该承载件10上依序具有结合层100与粘着层101，且该半导体基材11’具有多个半导体组件11，该半导体组件11具有相对的作用面11a与非作用面11b，该作用面11a上具有多个电极垫110及外露出该电极垫110的钝化层111。

如图1B所示，沿切割路径L（如图1A’及图1A”所示）切割该半导体基材11’以取得多个半导体组件11。之后，将该些半导体组件11以其作用面11a的侧结合于该粘着层101上，再固化该粘着层101。

如图1C所示，利用一基板13压合封装胶体12于该粘着层101上以包覆该些半导体组件11。

如图1D所示，移除该承载件10及该结合层100，以外露出该粘着层101。

如图1E所示，移除该承载件10及该结合层100之后，部分该粘着层101会残留于该半导体组件11与封装胶体12上，且无法以溶剂移除，所以需以电浆清理方式移除该粘着层101的残胶，以外露出该半导体组件11的电极垫110，且该半导体组件11表面（即钝化层111表面）齐平该封装胶体12表面。

如图1F所示，形成一线路重布层（redistribution layer,RDL）15于该半导体组件11表面与该封装胶体12表面上，再形成一绝缘保护层16于该线路重布层15、半导体组件11与封装胶体12上，且外露该线路重布层15的部分表面以结合导电组件17。之后，沿切割路径S进行切单工艺，以取得多个半导体封装件1。

现有半导体封装件1利用线路重布层15以形成扇出结构，藉以重配该半导体组件11上外接点的位置（由该电极垫110变为该线路重布层15的外露处）。

然而，该粘着层101的残胶并非均匀分布于该半导体组件11的表面，如图1D所示的波浪状，所以于清理时，有些区域会过度侵蚀，致使该半导体组件11的表面k1（如图1E的电极垫110或钝化层111）受到损害，因而降低产品良率。

因此，如何克服现有技术中的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种半导体封装件及其制法，可提高产品良率。

本发明的半导体封装件，包括：封装胶体，其具有相对的第一表面及第二表面；以及半导体组件，其嵌埋于该封装胶体中，且该半导体组件具有相对的作用面与非作用面，该作用面上具有多个电极垫，该些电极垫外露于该封装胶体的第一表面，又该半导体组件的外露表面与该封装胶体的第一表面之间具有段差。

本发明还提供一种半导体封装件的制法，其包括：提供一具有粘着层的承载件及至少一具有保护层的半导体组件；该至少一半导体组件通过该保护层结合于该粘着层上；形成封装胶体于该承载件的粘着层上以包覆该至少一半导体组件；移除该承载件及该粘着层，以外露出该保护层；以及移除该保护层，以外露出该至少一半导体组件。

前述的制法中，该承载件为玻璃，且该粘着层为紫外光固化胶层，所以于形成封装胶体之前，先照射紫外光固化该粘着层。又该承载件与该粘着层之间具有结合层，且于移除该承载件时，一并移除该结合层。

前述的制法中，形成该保护层的材质为光阻材、聚亚酰胺或可溶解型高分子聚合物。

前述的制法中，移除该粘着层的工艺利用电浆清理方式，且该电浆清理方式所用的电浆含有四氟化碳气体。

前述的制法中，其利用溶剂去除该保护层。