[发明专利]半导体基板及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其特征在于，包括：

硅基板；

单晶碳化硅膜，其配置在所述硅基板的表面上；

应力缓和膜，其配置在所述硅基板的配置有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上，且对所述相反侧的面施加压缩应力而缓和所述硅基板的应力，

在所述单晶碳化硅膜的所述硅基板一侧的部分，沿所述单晶碳化硅膜与所述硅基板之间的界面存在多个空隙，

空隙的宽度小于空隙上部的单晶碳化硅膜的高度的两倍，

所述应力缓和膜由第一应力缓和膜和第二应力缓和膜层叠而成，

所述第二应力缓和膜的热膨胀系数比所述硅基板的热膨胀系数大。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述应力缓和膜包含氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中的任一种。

3.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：

在硅基板的表面形成掩膜件的第一工序；

在所述掩膜件上形成多个开口部，且使所述硅基板的一部分露出的第二工序；

以露出的所述硅基板的表面为基点而使单晶碳化硅生长，并使所述单晶碳化硅的生长在所述掩膜件的表面的一部分露出的状态下停止的第三工序；

除去所述掩膜件的至少一部分的第四工序；

在所述第四工序后进行单晶碳化硅的生长而形成单晶碳化硅膜的第五工序；

在所述第五工序之前，在所述硅基板的形成有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上形成应力缓和膜的第六工序，该应力缓和膜对所述相反侧的面施加压缩应力而缓和所述硅基板的应力，

在所述第三工序之前，在所述硅基板的形成有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上形成第一应力缓和膜，

在所述第三工序和所述第五工序之间，在所述第一应力缓和膜的表面形成第二应力缓和膜，

所述应力缓和膜由所述第一应力缓和膜和所述第二应力缓和膜层叠而成。

4.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包括：

在硅基板的表面形成掩膜件的第一工序；

在所述掩膜件上形成多个开口部，且使所述硅基板的一部分露出的第二工序；

以露出的所述硅基板的表面为基点而使单晶碳化硅生长，并使所述单晶碳化硅的生长在所述掩膜件的表面的一部分露出的状态下停止的第三工序；

除去所述掩膜件的至少一部分的第四工序；

在所述第四工序后进行单晶碳化硅的生长而形成单晶碳化硅膜的第五工序；

在所述第五工序之前，在所述硅基板的形成有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上形成应力缓和膜的第六工序，该应力缓和膜对所述相反侧的面施加压缩应力而缓和所述硅基板的应力，

在所述第三工序之前，在所述硅基板的形成有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上形成所述应力缓和膜，

在所述第三工序与所述第五工序之间，调整所述应力缓和膜的膜厚。

5.根据权利要求4所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序中，在所述硅基板的形成有所述单晶碳化硅膜一侧的相反侧的面上形成所述应力缓和膜。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述掩膜件的形成材料包含氧化硅、氮化硅中的任一种。

7.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述应力缓和膜的形成材料包含氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅中的任一种。

8.根据权利要求3或4所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述第三工序包含使所述单晶碳化硅外延生长的工序，

所述第五工序包含使所述单晶碳化硅外延生长的工序。