[发明专利]气体传输装置及其气体分流装置的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气体传输装置及其气体分流装置的测试方法。

背景技术

等离子体处理腔室利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。

在等离子体处理腔室的具有一气体传输装置连接于气体喷淋头用于将制程气体输送至腔室内部，以对腔室内的基片进行制程。气体传输装置将气体分成至少两路传输至腔室内部，每路气路都根据制程需要设置了必要的比例，而执行气体分配的装置主要是气体分流装置（gas splitter），因此，气体分流装置对制程气体的分配尤为关键，若气体分配不准确会对整个制程造成影响。

因此，业内需要一种能够检测气体分流装置的机制。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了一种气体传输装置及其气体分流装置的测试方法。

本发明第一方面提供了一种用于等离子体处理腔室的气体输送装置，其中，所述气体输送装置包括：

至少一气体源，其提供制程气体并输送至气体分流装置；

气体分流装置，其串联于所述气体源，将制程气体分别按照比例分离成至少两路输送至至少两路气体通道；

压力计，其并联于所述两路气路通道的其中之一；

其中，在每路气体通道上串联一流量限制器，所述流量限制器位于所述腔室的上游，所述气体通道连接于所述腔室的气体喷淋头。

进一步地，每路所述气体通道上还分别连接有串联在一起的若干其他气体组件，所述若干其他气体组件位于气体分流装置和其对应的所述流量限制器之间。

进一步地，所述若干其他气体组件包括以下任一项或任多项：阀门、过滤装置。

进一步地，所述压力计位于所述流量限制器的上游。

进一步地，所述气体输送装置具有第一气体通道和第二气体通道，所述第一气体通道输送气体至所述等离子体处理腔室内的中心区域，所述第二气体通道输送气体至所述等离子体处理腔室内的边缘区域。

进一步地，所述第一气体通道和第二气体通道输送气体量的比例为3~5。

进一步地，所述气体限制装置包括限流孔。

本发明第二方面提供了一种用于等离子体处理腔室的测试气体分流装置的方法，其中，所述等离子体处理腔室具有根据权利要求1至7任一项所述的气体输送装置，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

设置一标准压力值；

气体源输出制程气体，并通过所述气体输送装置将制程气体输送至所述腔室；

利用压力计测量即时压力值，若所述即时压力值和标准压力值的差值超过预定阈值则应当更换气体分流装置。

进一步地，所述方法还包括如下步骤：利用压力计测量即时压力值，若所述即时压力值和标准压力值不同则应当更换气体分流装置。

进一步地，所述方法还包括如下步骤：在气体分流装置处于正常工作状态时，测得标准压力值。

本发明提供的气体传输装置及其气体分流装置的测试方法能够快速准确地测量气体分流装置，以及时更换所述气体分流装置。

附图说明

图1是现有技术的于等离子体处理腔室的气体传输装置的结构示意图；

图2是根据本发明的一个具体实施例的用于等离子体处理腔室的气体传输装置的结构示意图；

图3是根据本发明的一个具体实施例的气体分流装置的测试方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。

图1是现有技术的于等离子体处理腔室C1的气体传输装置100的结构示意图。如图1所示，气体源（未示出）将制程气体混合以后通过气体分流装置101分成若干路分别输送到对应的第一气体通道102a和第二气体通道102b，在第一气体通道中还串联有其他气体组件103a，在第二气体通道中海串联有其他气体组件103b。其他气体组件103a、103b包括阀门或者过滤装置等。第一气体通道102a和第二气体通道102b分别连接入腔室C1中的气体喷淋头，以对基片进行制程。