[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

基板；

半导体组件，其具有相对的作用面及非作用面，该半导体组件以其作用面结合于该基板上，且该非作用面为粗糙化表面；

导热层，其直接接触结合于该非作用面上；以及

散热件，其设于该导热层上。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体组件的作用面上具有多个电极垫，以电性连接该基板。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导热层为低温熔融的热传导材料。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该导热层为焊锡材料。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导热层含有占该导热层重量99.99﹪的铟材。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导热层的熔点小于170℃。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括支撑件，设于该基板上以支撑该散热件。

8.一种半导体封装件的制法，其包括：

提供一设有半导体组件的基板，该半导体组件具有相对的作用面及非作用面，且该半导体组件以其作用面结合于该基板上，又该非作用面为粗糙化表面；以及

接触结合散热件于该非作用面上，且该散热件与该非作用面之间设有导热层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板与该半导体组件的结合工艺，其包括：

提供一由多个该半导体组件构成的半导体基材；

切割该半导体基材，以获得多个该半导体组件；

结合至少一该半导体组件至该基板上；以及

表面处理该非作用面以形成该粗糙化表面。

10.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板与该半导体组件的结合工艺，其包括：

提供一由多个该半导体组件构成的半导体基材；

表面处理该非作用面以形成该粗糙化表面；

切割该半导体基材，以获得多个具有该粗糙化表面的半导体组件；以及

结合至少一该半导体组件至该基板上。

11.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体组件的非作用面利用等离子体方式进行表面处理，以形成该粗糙化表面。

12.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导热层与该散热件的结合工艺，其包括：

形成该导热层于该非作用面上；以及

设置该散热件于该导热层上。

13.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导热层与该散热件的结合工艺，其包括：

形成该导热层于该散热件上；以及

该散热件通过该导热层设于该非作用面上方，且该导热层接触结合该非作用面。

14.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，通过热压固定该导热层于该非作用面上。

15.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体组件的作用面上具有多个电极垫，以电性连接该基板。

16.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导热层为低温熔融的热传导材料。

17.根据权利要求16所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导热层为焊锡材料。

18.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导热层含有占该导热层重量99.99﹪的铟材。

19.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导热层的熔点小于170℃。

20.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括回焊该导热层。

21.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板上还设有支撑件，以支撑该散热件。