[发明专利]一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于工艺步骤如下：

（1）制备前驱溶液

向反应容器中加入去离子水，然后加入锌盐和聚乙烯亚胺，在室温、常压下搅拌0.5~3h，得前驱溶液；所述锌盐、去离子水及聚乙烯亚胺的量以锌盐中的锌、去离子水、聚乙烯亚胺的质量比达到1:400:20~1:80:4为限；

（2）超过滤

将步骤（1）所得前驱溶液进行超过滤，超过滤时间以分离不出液体为限；

（3）旋涂

将步骤（2）截留所得溶液在200~1000rpm的转速下滴加到基底上，然后以500~3000rpm的转速涂胶10~60s；

（4）热处理

①将步骤（3）所得涂胶后的基底在常压、氧气氛围、400~600℃条件下保温30~120min，保温时间届满后，将所述基底自然冷却至室温，

②将步骤①处理后的基底在常压、氧气氛围、800~1000℃条件下保温1~10min，保温时间届满后，将所述基底自然冷却至室温，

③将步骤②处理后的基底在100~3000Pa、氧气氛围、400~600℃的条件下保温5~30min。

2.根据权利要求1所述垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于所述锌盐为硝酸锌、乙酸锌或氯化锌。

3.根据权利要求1或2所述垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于所述超过滤操作所使用的超滤膜的截留分子量为400~10000 g/mol。

4.根据权利要求1或2所述垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于所述基底为（0001）蓝宝石基底、蓝宝石基底、蓝宝石基底、蓝宝石基底、（111）硅基底中的任一种。

5.根据权利要求3所述垂直阵列ZnO纳米线的制备方法，其特征在于所述基底为（0001）蓝宝石基底、蓝宝石基底、蓝宝石基底、蓝宝石基底、（111）硅基底中的任一种。