[发明专利]一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法

权利要求书

1.一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：包括以下步骤，

步骤一：器件晶圆与逻辑晶圆键合后，对晶圆表面氧化物进行刻蚀,至露出四乙氧基硅层;

步骤二：在刻蚀后的晶圆表面上淀积一层隔离氧化物层;

步骤三：在隔离氧化物层上涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出第一次负性光刻胶图形，确定刻蚀沟槽的区域；

步骤四：以第一次负性光刻胶图形为掩蔽层进行沟槽刻蚀，沟槽刻蚀停止在器件晶圆顶层金属的阻挡层和器件晶圆顶层金属下方的氮化硅层；

步骤五：沟槽刻蚀后，在硅片上再涂覆一层负性光刻胶，通过光刻在负性光刻胶上制作出第二次负性光刻胶图形，确定刻蚀通孔的区域；

步骤六：通孔刻蚀，以第二次负性光刻胶图形为掩蔽层刻蚀通孔，通孔刻蚀停止在逻辑晶圆顶层金属。

2.根据权利要求1所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述器件晶圆顶层金属的阻挡层材料为氮化钛。

3.根据权利要求1或2所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述步骤一中，晶圆表面氧化物刻蚀后开口底部宽度为2.5-3.5微米。

4.根据权利要求1或2所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述步骤三中，负性光刻胶涂覆的厚度为5500-6500埃。

5.根据权利要求4所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述沟槽刻蚀的宽度为1-3微米。

6.根据权利要求4所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述沟槽刻蚀的深度为2-3微米。

7.根据权利要求1或2所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述通孔刻蚀的深度为2.5-3微米。

8.根据权利要求1或2所述的一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法，其特征在于：所述器件晶圆顶层金属与所述逻辑晶圆顶层金属之间制备有两层氮化硅层和置于两氮化硅层之间的氧化物层，所述通孔刻蚀过程中氮化钛与所述氧化物的蚀刻速率比为1：20。