[发明专利]半导体激光器温控装置

权利要求书

1.一种用于半导体激光器的温控装置，特征在于其构成包括精密基准源，温度采样，温度设定，温度误差放大，锯齿波产生器，PWM信号发生器和功率变换级七部分；其连接关系是：精密基准源连接温度采样和温度设定，温度采样和温度设定同时连接温度误差放大，温度误差放大和锯齿波产生器同时连接PWM信号发生器，PWM信号发生器连接功率变换级。

2.根据权利要求1所述的精密基准源，特征在于其由第1电阻（R1），精密基准芯片（U1）和第1电容（C1）构成；所述的第1电阻（R1）一端接电源（VCC），另一端接精密基准芯片（U1）的第1、2脚和第1电容（C1）的节点，所述的精密芯片（U1）的第3脚接地（GND），所述的第1电容（C1）一端接地GND，所述的精密基准芯片（U1）的第1、2脚和第1电容（C1）的节点为所述精密基准源的输出。

3.根据权利要求1所述的温度采样，特征在于其由温度传感器（Rt），第2电容（C2）和第2电阻（R2）构成；所述的温度传感器（Rt）一端接权利要求2所述的精密基准源的输出，该温度传感器（Rt）另一端接第2电阻（R2）和第2电容（C2）的节点；所述的第2电阻（R2）另一端接地（GND），所述的第2电容（C2）并联在第2电阻（R2）两端。

4.根据权利要求1所述的温度设定，特征在于其由第3电阻（R3）和第1可调电位器（WP1）构成；所述第3电阻（R3）一端接权利要求2所述的精密基准源的输出，该第3电阻（R3）另一端接所述第1可调电位器（WP1）一端，该第1可调电位器（WP1）另一端接地（GND），该第1可调电位器（WP1）滑动端作为所述温度设定的输出。

5.根据权利要求1所述的温度误差放大，特征在于其由运算放大器（U3A），第3电容（C3）和第4电阻（R4）组成的积分电路以及第2可调电位器（WP2）构成；权利要求3所述的温度采样的输出连接所述运算放大器（U3A）的第3脚正相输入端，权利要求4所述温度设定的输出连接运算放大器（U3A）的第2脚反相输入端，所述第3电容（C3）和所述第4电阻（R4）的节点，该第3电容（C3）另一端连接运算放大器（U3A）第1脚输出端和所述第2可调电位器（WP2）的节点，第4电阻（R4）并联到第3电容（C3）两端，第2可调电位器（WP2）另一端接地GND，第2可调电位器（WP2）滑动端作为所述温度误差放大的输出。

6.根据权利要求1所述的锯齿波产生器，特征在于其由555定时器（U2），第4电容（C4），第5电容（C5），第5电阻（R5），第6电阻（R6），第1二极管（D1），第2二极管（D2）和晶体三极管（Q1）构成；所述第4电容（C4）一端连接地（GND），该第4电容（C4）另一端连接所述555定时器（U2）第5脚，所述第5电阻（R5）一端连接电源（VCC），所述第1二极管（D1）阳极和555定时器（U4）第4脚的节点；第5电阻（R5）另一端连接所述晶体三极管（Q1）发射极，第1二极管（D1）阴极连接所述第2二极管（D2）阳极，第2二极管（D2）阴极连接晶体三极管（Q1）基极和所述第6电阻（R6）的节点，第6电阻（R6）另一端连接地（GND），晶体三极管（Q1）集电极连接555定时器（U2）第2、6、7脚和所述第5电容（C5）的节点，第5电容（C5）的另一端接地（GND）；晶体三极管（Q1）集电极，555定时器（U2）第2、6、7脚和第5电容（C5）的节点为所述锯齿波产生器的输出。

7.根据权利要求1所述的PWM信号发生器，特征在于其由比较器（U4A）和第7电阻（R7）构成；权利要求5所述的温度误差放大的输出连接到所述比较器（U4A）的第3脚同相端，权利要求6所述的锯齿波产生器输出连接到比较器（U4A）的第2脚反相端，所述第7电阻（R7）一端接电源（VCC），第7电阻（R7）另一端接比较器（U4A）的第1脚输出端，比较器（U4A）第1脚输出端和第7电阻（R7）的节点为所述PWM信号发生器的输出。

8.根据权利要求1所述的功率变换级，特征在于其由MOS管（M1），肖特基二极管（V1），功率电感（L1），滤波电容（Cf）和半导体制冷片（TEC）组成；所述MOS管（M1）源极接电源（VCC），MOS管（M1）的栅极接权利要求7所述的PWM信号放生器的输出，MOS管（M1）的漏极接所述肖特基二极管（V1）的阴极和所述功率电感（L1）的节点，肖特基二极管（V1）的阳极接地（GND），功率电感（L1）的另一端接所述滤波电容（Cf）与所述半导体制冷片（TEC）的节点，滤波电容（Cf）另一端接地GND，半导体制冷片（TEC）另一端接地（GND）。