[发明专利]一种可避免空洞的电镀铜的方法

权利要求书

1.一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；

步骤二，在所述晶圆的上表面添加平坦剂，在所述沟槽的底部添加加速剂，在所述沟槽上部的拐角处添加抑制剂；

步骤三，种籽修复：使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为5～6秒，填充铜的厚度为130～140埃；

步骤四，填充：使用6～7安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为85～95秒，填充铜的厚度为3265～3275埃；

步骤五，填充：使用13～14安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为115～125秒，填充铜的厚度为8715～8725埃；

步骤六：填充：使用25～29安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为25～35秒，填充铜的厚度为4355～4365埃；

步骤七，淀积：使用41～42安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为10～14转每分钟，填充时间为10～14秒，填充铜的厚度为3510～3520埃。

2.根据权利要求1所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，种籽修复：使用4.5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为90转每分钟，填充时间为5.5秒，填充铜的厚度为135埃。

3.根据权利要求1所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，步骤四所述的填充即：使用6.75安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为90转每分钟，填充时间为90秒，填充铜的厚度为3270埃。

4.根据权利要求1所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，步骤五所述的填充即：使用13.5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为90转每分钟，填充时间为120秒，填充铜的厚度为8720埃。

5.根据权利要求1所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，步骤六所述的填充即：使用27安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为90转每分钟，填充时间为30秒，填充铜的厚度为4360埃。

6.根据权利要求1所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，所述步骤七，淀积中：使用40.5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为12转每分钟，填充时间为12秒，填充铜的厚度为3515埃。

7.根据权利要求1至6任一所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，在所述沟槽的底部添加浓度为4～6mol/L的加速剂。

8.根据权利要求1至6任一所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，在所述沟槽上部的拐角处添加浓度为3～9mol/L的抑制剂。

9.根据权利要求1至6任一所述的一种可避免空洞的电镀铜的方法，其特征在于，在所述晶圆的上表面添加浓度为3～5mol/L的平坦剂。