[发明专利]存储器件及其验证方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

单元串，所述单元串包括串联连接的多个存储器单元；

位线，所述位线与所述单元串连接；

电压传送单元，所述电压传送单元被配置成响应于控制信号而将所述位线与感测节点电连接；以及

页缓冲器，所述页缓冲器被配置成在感测时段中经由所述感测节点来感测所述位线的电压，

其中，所述页缓冲器在所述感测时段中基于所述多个存储器单元之中的作为验证目标的目标存储器单元的阈值电压，来决定所述控制信号的电压电平。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，如果所述目标存储器单元的阈值电压比亚验证电压低，则所述页缓冲器将所述控制信号的电压电平决定为第一电平，而如果所述目标存储器单元的阈值电压比所述亚验证电压高，则将所述控制信号的电压电平决定为比所述第一电平高的第二电平，其中所述亚验证电压是用于验证所述目标存储器单元是否被编程在亚编程状态的验证电压，所述亚编程状态是指所述目标存储器单元未完成编程的状态。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，在验证操作中：

如果所述目标存储器单元的阈值电压比所述亚验证电压低，则所述目标存储器单元处于非编程状态，

如果所述目标存储器单元的阈值电压比所述亚验证电压高且比高于所述亚验证电压的目标验证电压低，则所述目标存储器单元处于亚编程状态，其中所述目标验证电压是用于验证目标存储器单元是否处于目标编程状态的验证电压，以及

如果所述目标存储器单元的阈值电压比所述目标验证电压高，则所述目标存储器单元处于目标编程状态。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述页缓冲器包括：

锁存器单元，所述锁存器单元被配置成储存所述目标存储器单元的所述非编程状态、所述亚编程状态以及所述目标编程状态之中的状态；以及

选择单元，所述选择单元被配置成：接收在所述感测时段中具有所述第一电平的第一预信号和在所述感测时段中具有所述第二电平的第二预信号，基于储存在所述锁存器单元中的关于所述目标存储器单元的值，当所述目标存储器单元处于所述非编程状态时，选择所述第一预信号作为所述控制信号，而如果所述目标存储器单元处于亚编程状态则选择所述第二预信号作为所述控制信号。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述页缓冲器被配置成在预充电时段中对所述感测节点预充电。

6.根据权利要求5所述的存储器件，其中，所述页缓冲器还包括预充电单元，所述预充电单元被配置成在所述预充电时段中对所述感测节点预充电。

7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，如果之前未执行验证操作，则在所述锁存器单元中将所述目标存储器单元的状态储存为所述非编程状态。

8.根据权利要求3所述的存储器件，其中，如果所述目标存储器单元处于所述目标编程状态，则所述目标存储器单元被完全编程。

9.根据权利要求3所述的存储器件，其中，在所述验证操作期间，所述亚验证电压被供应给与所述目标存储器单元相对应的字线。

10.一种用于验证存储器件的方法，所述存储器件包括电压传送单元，所述电压传送单元被配置为响应于控制信号将位线与页缓冲器的感测节点电连接，所述方法包括以下步骤：

在第一时段期间对所述位线预充电；

在第二时段期间，响应于供应给与目标存储器单元相对应的字线的亚验证电压，利用所述目标存储器单元中流动的电流来改变所述位线的电压；以及

施加所述控制信号到所述电压传送单元，其中，所述控制信号的电压电平基于所述目标存储器单元的阈值电压来决定，以及在第三时段期间感测所述位线的电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一时段为预充电时段，所述第二时段为评估时段，以及所述第三时段为感测时段。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在施加所述控制信号的步骤中，

如果所述目标存储器单元的阈值电压比所述亚验证电压低，则将所述控制信号的电压电平决定为第一电平，以及

如果所述目标存储器单元的阈值电压比所述亚验证电压高，则将所述控制信号的电压电平决定为比所述第一电平高的第二电平。