[发明专利]III族氮化物外延基板以及使用该基板的深紫外发光元件

权利要求书

1.一种III族氮化物外延基板，其特征在于，其具有：

基板，

在该基板上形成的AlN缓冲层，

在该缓冲层上依次形成的第一超晶格积层体和第二超晶格积层体，以及

在该第二超晶格积层体上外延生长的、包含含Al_αGa_1-αN层的活性层的III族氮化物积层体，0.03≤α；

所述第一超晶格积层体交替含有由Al_aGa_1-aN形成的第一层和由Al_bGa_1-bN形成的第二层并且满足α＜a和a＜b的条件，0.9＜b≤1；

所述第二超晶格积层体重复含有由Al_xGa_1-xN形成的第三层、由Al_yGa_1-yN形成的第四层和由Al_zGa_1-zN形成的第五层并且满足α＜x和x＜y＜z的条件，0.9＜z≤1。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物外延基板，其满足z-x≥0.20的条件。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物外延基板，其中，在所述第一超晶格积层体以及第二超晶格积层体中，相邻的层的Al含有率差为0.05以上且0.40以下。

4.根据权利要求1或2所述的III族氮化物外延基板，其中，y-x小于z-y。

5.根据权利要求1或2所述的III族氮化物外延基板，其满足0.20≤x＜0.90和0.60≤y＜0.95的条件。

6.根据权利要求1或2所述的III族氮化物外延基板，其满足a＞x的条件。

7.根据权利要求1或2所述的III族氮化物外延基板，其中，所述基板是由蓝宝石、SiC、金刚石中的任一材料形成的。

8.一种深紫外发光元件，其使用权利要求1~7中任一项所述的III族氮化物外延基板。