[发明专利]反射膜及应用其的背光源无效
| 申请号： | 201310011746.8 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103062708A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 桑建;孙海威 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | F21V7/00 | 分类号： | F21V7/00;F21V15/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 应用 背光源 | ||
【权利要求书】：
1.一种反射膜，依次包括第一保护层、反射层及第二保护层，其特征在于，所述第一保护层的上表面具有凹陷结构。
2.根据权利要求1所述的反射膜，其特征在于，所述凹陷结构为凹槽。
3.根据权利要求2所述的反射膜，其特征在于，所述凹槽的纵向内表面为圆弧形。
4.根据权利要求2所述的反射膜，其特征在于，所述凹槽的个数为多个。
5.根据权利要求1-4任一项所述的反射膜，其特征在于，所述凹槽的高度为20微米至25微米；所述凹槽的开口宽度为40微米至60微米。
6.根据权利要求1所述的反射膜，其特征在于，所述凹陷结构为凹坑。
7.根据权利要求6所述的反射膜，其特征在于，所述凹坑的内表面为圆弧面。
8.根据权利要求7所述的反射膜，其特征在于，所述凹坑的个数为多个。
9.根据权利要求6-8任一项所述的反射膜，其特征在于，所述凹坑的高度为20微米至25微米；所述凹坑开口的直径为40微米至60微米。
10.一种背光源，包括导光板，其特征在于，还包括权利要求1-9任一项所述的反射膜，其中所述第一保护层靠近所述导光板下表面设置。
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