[发明专利]一种大功率全气密半导体模块封装结构

权利要求书

1.一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征在于：包括导热底板、金属密封框、内部陶瓷基板、连接柱、半导体芯片、电路连接金属线、陶瓷封盖、小封盖、管脚，其中金属密封框、导热底板、内部陶瓷基板、半导体芯片依次焊接在一起，电路连接金属线的两端通过常规超声波或加热结合超声波的键合设备分别键合在半导体芯片和内部陶瓷基板上形成电路通路，构成气密半导体模块的内部腔体；连接柱底端焊接在内部陶瓷基板上，陶瓷封盖焊接在金属密封框上，连接柱上端与陶瓷封盖焊接在一起，构成半导体芯片与陶瓷封盖之间的导电通路；管脚焊接在陶瓷封盖上，管脚直接与外部连接，通过连接柱、陶瓷封盖、内部陶瓷基板、电路连接金属线与半导体芯片形成导电通路；小封盖与陶瓷封盖在保护性气氛中焊接在一起，成为气密封装的最终封盖。

2.根据权利要求1所述的一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征在于：所述半导体模块封装结构还包括外壳用于保护大功率全气密半导体模块内部结构，外壳用外壳压套与导热底板压在一起，外壳上设有螺母放置槽，管脚穿过外壳向螺母放置槽方向弯曲与外壳接触。

3.根据权利要求2所述的一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征是：所述外壳由电绝缘材料制成。

4.根据权利要求1或2所述的一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征在于：连接柱和管脚的底部均浸有焊锡。

5.根据权利要求1所述的一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征是：导热底板上有凹槽。

6.根据权利要求1所述的一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征是：金属密封框呈台阶结构，与导热底板采用焊锡焊接。

7.根据权利要求1所述的一种大功率全气密半导体模块封装结构，其特征是：陶瓷封盖上设计有密封孔。