[发明专利]一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法有效
申请号: | 201310009632.X | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN103072984A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 孙伟;王俊华 | 申请(专利权)人: | 海博瑞恩电子科技无锡有限公司 |
主分类号: | C01B31/08 | 分类号: | C01B31/08;H01G11/86 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 214100 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 光刻 尺度 多孔 材料 制备 方法 | ||
1.一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,包括下述步骤:
(1)将光刻胶涂覆在基底上;
(2)利用掩模版和一个或多个曝光光源使得光刻胶在三维空间上一次或多次选择性曝光;
(3)利用显影液使被曝光过的光刻胶显影,形成高度有序相互交错的微米尺度的三维网状结构;
(4)具有微米尺度的三维结构的光刻胶高温炭化形成具有微米尺度的三维结构的炭;
(5)具有微米尺度的三维结构的炭经过活化处理形成跨尺度的在微米尺度三维网状炭结构的所有表面形成可控尺寸的纳米结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中光刻胶的涂覆厚度大于5微米。
3.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中基底为柔性或刚性基底。
4.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中曝光光源为紫外光源、近紫外光源或电子束。
5.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的曝光方式采用定向曝光方式,曝光角度为10-80度。
6.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的显影形成高度有序的微米尺度的三维结构孔径尺寸为1-100微米。
7.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中的高温炭化在气体保护下进行,炭化温度大于400摄氏度。
8.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中的活化处理温度为400摄氏度以上。
9.根据权利要求1所述的一种基于光刻胶的跨尺度的多孔炭材料制备方法,其特征在于:所述步骤(5)所述的活化处理形成可控尺寸的纳米结构尺寸为0.3-100纳米。
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