[发明专利]MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于制造III-V族化合物半导体的方法和装置，特别涉及MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置。

背景技术

金属有机化学气相沉积设备简称MOCVD设备，被广泛用于制备光电子、微电子材料，尤其随着氮化镓基材料发光二极管(LED)产业的迅猛发展，MOCVD设备在产业上得到大规模应用。目前市场上的MOCVD设备的不同反应气体进入反应室内之前均是采用隔离方式，例如生长GaN时TMGa和NH3以不同的管路和进气腔室进入反应室内，反应气体到反应室内才混合、分解和反应。这种方式将出现反应物混合难以充分均匀，从而导致组份不均匀，影响材料的均匀性。如果将不同气体混合均匀后再进入反应室内，有些反应物之间又会发生预反应的不良影响，产生不利于材料质量的加和物，同时也将造成源的浪费，利用率低。为了解决工艺上既需要气体混合进气方式又需要隔离进气方式这一问题，本发明提供了一种反应室进气的气体混合与隔离装置，可以实现充分混合后进入反应室和隔离进入反应室这两种进气方式之间随时灵活切换，这样对于需要充分混合、预反应不严重的气体和工艺可以切换到充分预混合方式生长，提高组份均匀性，对于预反应严重需要完全隔离的气体和工艺要求，可以切换到隔离方式生长。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种用于MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，其可实现MOCVD反应室进气方式的多样性和灵活性，提高组份混合均匀性和避免严重的预反应。

本发明提供一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：

一第一气体入口；

一第一气体出口；

一第一直通阀门，该第一直通阀门的一端与第一气体入口连通，该第一直通阀门的另一端与第一气体出口连通；

一第一旁通阀门，该第一旁通阀门的一端与第一直通阀门的一端连接；

一第二旁通阀门，该第二旁通阀门的一端与第一直通阀门的另一端连接；

一第二气体入口；

一第二气体出口；

一第二直通阀门，该第二直通阀门的一端与第二气体入口连通，该第二直通阀门的另一端与第二气体出口连通；

一第三旁通阀门，该第三旁通阀门的一端与第二直通阀门的一端连接，该第三旁通阀门的另一端与第一旁通阀门的另一端连接；

一第四旁通阀门，该第四旁通阀门的一端与第二直通阀门的另一端连接，该第四旁通阀门的另一端与第二旁通阀门的另一端连接；

一气体混合器，该气体混合器位于第一旁通阀门及第二旁通阀门之间并与之连通。

本发明的有益效果是：

本发明采用一组阀门的开关实现隔离进气方式和混合进气方式之间的灵活切换，制造简单，自动控制方便，可以在工艺软件中自动灵活控制。

本发明实现充分混合后进入反应室和隔离避免预反应进入反应室这两种进气方式之间随时切换，提高设备进气方式的灵活性和多功能性。

附图说明

以下参考附图是对具体实施例的详细描述，将会更好地理解本发明的内容和特点，其中：

图1是本发明的MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置示意图。

图2是本发明的一个具体实施例的示意图。

图3是本发明的另一个具体实施例的示意图。

具体实施方式

下面结合实施例并对照附图对本发明作进一步的说明。图1是本发明的结构示意图，应理解，本公开的附图重点示出根据本发明的一个实施方式的构成特征，这些附图并不意在示出设备中的每一个单个部件。请参阅图1所示，本发明提供的一种MOCVD设备反应室进气的气体混合与隔离装置，包括：

一第一气体入口01；

一第一气体出口02；

一第一直通阀门11，该第一直通阀门11的一端与第一气体入口01连通；该第一直通阀门11的另一端与第一气体出口02连通；

一第一旁通阀门12，该第一旁通阀门12的一端与第一直通阀门11的一端连接；

一第二旁通阀门13，该第二旁通阀门13的一端与第一直通阀门11的另一端连接；

一第二气体入口03；

一第二气体出口04；

一第二直通阀门16，该第二直通阀门16的一端与第二气体入口03连通，该第二直通阀门16的另一端与第二气体出口04连通；

一第三旁通阀门14，该第三旁通阀门14的一端与第二直通阀门16的一端连接，该第三旁通阀门14的另一端与第一旁通阀门12的另一端连接；