[发明专利]一种多值相变随机存储器的存储单元及操作方法

权利要求书

1.一种多值相变随机存储器的存储单元，其特征在于，包括相变存储元件、第一选通元件和第二选通元件；

所述相变存储元件的一端与位线相连；

所述第一选通元件的一端与所述相变存储元件的另一端连接，所述第一选通元件的另一端接地，所述第一选通元件的控制端与第一字线连接；

所述第二选通元件的一端与所述相变存储元件的另一端连接，所述第二选通元件的另一端接地，所述第二选通元件的控制端与第二字线连接；

所述第一选通元件的导通寄生电阻大于所述第二选通元件的导通寄生电阻。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一选通元件为第一MOS管，所述第一MOS管的漏极作为所述第一选通元件的一端，所述第一MOS管的栅极作为所述第一选通元件的控制端，所述第一MOS管的源极作为所述第一选通元件的另一端。

3.如权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，所述第二选通元件为第二MOS管，所述第二MOS管的漏极作为所述第二选通元件的一端，所述第二MOS管的栅极作为所述第二选通元件的控制端，所述第二MOS管的源极作为所述第二选通元件的另一端。

4.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一选通元件为第一三极管，所述第一三极管的集电极作为所述第一选通元件的一端，所述第一三极管的基极作为所述第一选通元件的控制端，所述第一三极管的发射极作为所述第一选通元件的另一端。

5.如权利要求1或4所述的存储单元，其特征在于，所述第二选通元件为第二三极管，所述第二三极管的集电极作为所述第二选通元件的一端，所述第二三极管的基极作为所述第二选通元件的控制端，所述第二三极管的发射极作为所述第二选通元件的另一端。

6.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述相变存储元件的存储材料为相变材料。

7.一种多值相变随机存储器，包括存储阵列、译码器、读写模块、输入输出模块和逻辑控制模块，所述存储阵列由多个存储单元构成，其特征在于，所存储单元为权利要求1-6任一项所述的存储单元。

8.一种实现权利要求1-6任一项所述的存储单元的操作方法，其特征在于，包括下述步骤：

写入00时，第一字线和第二字线为高电平，第一选通元件和第二选通元件导通，位线输入RESET脉冲电流；

写入01时，第一字线为低电平，第二字线为高电平，第一选通元件截止，第二选通元件导通，位线输入RESET脉冲电流；

写入10时，第一字线为高电平，第二字线为低电平，第一选通元件导通，第二选通元件截止，位线输入RESET脉冲电流；

写入11时，第一字线和第二字线为高电平，第一选通元件和第二选通元件S2导通，位线BL输入SET脉冲电流；

读出时，第一字线和第二字线为高电平，第一选通元件和第二选通元件导通，位线输入READ脉冲电流。

9.如权利要求8所述的操作方法，其特征在于，所述第一选通元件的寄生电阻大于所述第二选通元件的寄生电阻。