[发明专利]深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法

权利要求书

1.一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法，包括：

获取在深沟槽刻蚀工艺后晶圆中心位置与晶圆边缘位置的刻蚀关键尺寸差值；

根据刻蚀位置距离晶圆中心位置的距离和所述刻蚀关键尺寸差值对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿，使得所述掩蔽层版图露出的刻蚀图案尺寸在晶圆半径方向上由中心到边缘逐渐减小，且所述掩蔽层版图在晶圆边缘位置露出的刻蚀图案尺寸比在晶圆中心位置露出的刻蚀图案尺寸小所述刻蚀关键尺寸差值的二分之一；

按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽层版图露出的刻蚀图案尺寸根据下式计算：

CDNi=CD-N-i2NΔCD]]>

其中，N为在晶圆半径方向上由中心到边缘的刻蚀图案的总数，CD_Ni为从晶圆中心位置到边缘位置的第i个刻蚀图案的尺寸，CD为刻蚀图案的原始关键尺寸，ΔCD为所述刻蚀关键尺寸差值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取在深沟槽刻蚀工艺后晶圆中心位置与晶圆边缘位置的刻蚀关键尺寸差值包括：

通过对实验晶圆按原始掩蔽层版图进行深沟槽刻蚀后的关键尺寸进行测量获取所述刻蚀关键尺寸差值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀包括：

在原有深沟槽刻蚀工艺参数基础上调节深沟槽刻蚀工艺的刻蚀总量使得相应的刻蚀保护量减少。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，调节的所述刻蚀总量通过对按补偿后的掩蔽层版图刻蚀的晶圆进行重复实验验证获得。

6.一种深沟槽刻蚀工艺的关键尺寸补偿方法，包括：

获取在深沟槽刻蚀工艺后晶圆中心位置与晶圆各刻蚀图案位置的刻蚀关键尺寸差值；

根据各刻蚀图案位置对应的所述刻蚀关键尺寸差值的1/2对晶圆刻蚀的掩蔽层版图进行补偿，使得每一个刻蚀图案尺寸比所述掩蔽层版图在晶圆中心位置露出的刻蚀图案尺寸小对应位置的刻蚀关键尺寸差值二分之一；

按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述获取在深沟槽刻蚀工艺后晶圆中心位置与晶圆各刻蚀图案位置的刻蚀关键尺寸差值：

通过对实验晶圆按原始掩蔽层版图进行深沟槽刻蚀后的关键尺寸进行测量获取所述刻蚀关键尺寸差值。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，按补偿后的所述掩蔽层版图对晶圆进行深沟槽刻蚀包括：

在原有深沟槽刻蚀工艺参数基础上调节深沟槽刻蚀工艺的刻蚀总量使得相应的刻蚀保护量减少。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，调节的所述刻蚀总量通过对按补偿后的掩蔽层版图刻蚀的晶圆进行重复实验验证获得。