[发明专利]绝缘支撑装置和IGBT功率模块在审
申请号: | 201310007890.4 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN103915988A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 柴媛;张晋芳;杨春宇 | 申请(专利权)人: | 永济新时速电机电器有限责任公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 毕强 |
地址: | 044502 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 支撑 装置 igbt 功率 模块 | ||
1.一种绝缘支撑装置,其特征在于,包括支撑板和绝缘支撑柱,所述支撑板为U形板,所述绝缘支撑柱设置在所述支撑板凸起部的外表面上。
2.根据权利要求1所述的绝缘支撑装置,其特征在于,所述绝缘支撑柱为绝缘材料制成的圆柱体结构,所述绝缘支撑柱中心嵌设有用于与螺钉连接的金属嵌件;
所述支撑板为金属材料制成。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘支撑装置,其特征在于,所述绝缘支撑柱的数量为两个且间隔设置在所述支撑板上。
4.根据权利要求1或2所述的绝缘支撑装置,其特征在于,所述支撑板上设置有多个用于与所述绝缘支撑柱连接的第一安装孔。
5.根据权利要求1或2所述的绝缘支撑装置,其特征在于,所述支撑板的两侧边沿具有翻边折板,所述翻边折板的边角处开设有用于与IGBT模块的水冷基板连接的第二安装孔。
6.一种IGBT功率模块,包括IGBT器件、水冷基板和复合母排,所述IGBT器件对称设置在所述水冷基板上且位于两端的位置,所述复合母排设置在所述IGBT器件上部且与所述IGBT器件连接,其特征在于,该IGBT功率模块还包括至少两个权利要求1~5任一项所述的绝缘支撑装置,所述绝缘支撑装置的支撑板设置在所述水冷基板上,所述绝缘支撑装置的绝缘支柱顶在所述复合母排的下表面。
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置