[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

栅极，在基板上；

沟道层，具有三维(3D)沟道区域，部分地覆盖所述栅极的两个侧表面和顶表面；

源极电极，接触所述沟道层的第一区域；以及

漏极电极，接触所述沟道层的第二区域，

其中所述源极电极包括：

与所述三维沟道区域间隔开的第一源极电极部分，所述第一源极电极部分具有大于所述三维沟道区域的高度的高度，以及

第二源极电极部分，其在所述第一源极电极部分和所述三维沟道区域之间，

其中，所述第一源极电极部分和第二源极电极部分的底表面直接接触所述沟道层的上表面，以及所述第二源极电极部分具有小于所述第一源极电极部分的高度的高度。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中所述沟道层在所述基板上。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中所述沟道层包括石墨烯。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中所述源极电极和所述漏极电极分别在所述栅极的两侧。

5.如权利要求4所述的晶体管，其中所述漏极电极包括与所述三维沟道区域间隔开的第一漏极电极部分。

6.如权利要求5所述的晶体管，其中所述第一漏极电极部分具有大于所述三维沟道区域的高度的高度。

7.如权利要求5所述的晶体管，其中所述漏极电极还包括在所述第一漏极电极部分和所述三维沟道区域之间的第二漏极电极部分。

8.如权利要求7所述的晶体管，其中所述第二源极电极部分和所述第二漏极电极部分的每一个具有等于或小于所述三维沟道区域的高度的高度。

9.如权利要求7所述的晶体管，其中所述晶体管的有效沟道长度根据所述第二源极电极部分和所述第二漏极电极部分的每一个的高度来调整。

10.如权利要求1所述的晶体管，其中，

所述第一源极电极部分在所述沟道层上在所述栅极的一侧，所述第二源极电极部分连接到所述第一源极电极部分，所述第二源极电极部分在所述栅极的第一侧壁上，以及

所述漏极电极包括，

第一漏极电极部分，在所述沟道层上在所述栅极的另一侧，以及

第二漏极电极部分，连接到所述第一漏极电极部分，所述第二漏极电极部分在所述栅极的第二侧壁上。

11.如权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极包括在水平方向上彼此间隔开的第一栅极和第二栅极，

所述源极电极包括彼此间隔开的第一源极电极和第二源极电极，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一源极电极和所述第二源极电极之间，并且所述漏极电极在所述第一栅极和所述第二栅极之间，

其中所述第一源极电极和第二源极电极中的每个包括所述第一源极电极部分和所述第二源极电极部分，

所述第一源极电极的所述第一源极电极部分在所述第一和第二栅极的一侧，所述第二源极电极的所述第一源极电极部分在所述第一和第二栅极的另一侧，以及

所述第一源极电极的所述第二源极电极部分在其所述第一源极电极部分与所述第一栅极之间，所述第二源极电极的所述第二源极电极部分在其所述第一源极电极部分与所述第二栅极之间。

12.如权利要求11所述的晶体管，其中所述第一源极电极和第二源极电极的所述第二源极电极部分中的每一个都具有小于所述第一源极电极和第二源极电极的所述第一源极电极部分中的每一个的高度的高度。

13.如权利要求11所述的晶体管，其中所述漏极电极具有等于所述第一源极电极和第二源极电极的所述第二源极电极部分中的每个的高度的高度。