[发明专利]一种晶体硅背面点接触的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）提供太阳能电池用的单晶硅片，对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；

2）将制绒好的硅片插入石英舟中，在850-900℃中进行扩散形成PN结，在硅片的正面形成方块电阻60-70ohm/□；

3）采用湿法链式刻蚀去除硅片四周和背面的PN结，达到前后表面PN结的隔离，同时采用HF去粗扩散形成磷硅玻璃；

4）采用微波法的等离子体化学气相沉积的方法在硅片正反两面沉积一层氮化硅钝化减反膜，并在背面留出点接触的点；

5）采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆，并通过烧结形成良好的欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于：单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构包括如下步骤：对单晶硅片进行预清洗，采用单晶硅片清洗液进行超声清洗将硅片表面的油污清洗干净，然后将硅片放置于1.5%的氢氧化钠和IPA5%的78-80℃的混合制绒液中进行表面织构化工艺，在单晶硅片表面形成1-3μm的金字塔状绒面结构，增加硅片的表面积，增加电池的短路电流。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于：扩散形成PN结包括步骤如下：将制绒好的硅片硅片双片插入石英舟，在850-900℃的POCL₃和O₂的气氛中进行扩散，正面方块电阻控制在60-70ohm/□。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于：采用等离子刻蚀将硅片四周的N层去除括步骤如下：将扩散好的硅片在等离子中通入CF₄和O₂进行刻蚀，将硅片四周边缘的PN结去除，同时采用HF将扩散形成的磷硅玻璃去除。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于：采用微波法的等离子体化学气相沉积的方法在硅片正反两面沉积一层氮化硅钝化减反膜，并在背面留出点接触的点包括步骤如下：在硅烷和氨气的气氛中采用等离子体辉光放电的方式在400-450℃温度下进行沉积氮化硅钝化减反膜；在碳碳框上，氨气和硅烷能够通过空隙达到硅片的背面，在硅片的正反两面都能均匀的形成等离子体，能够在硅片的正反面都能沉积氮化硅薄膜，在硅片的反面由于挡板紧贴着硅片，挡板部分挡住硅片背面的地方没有镀上氮化硅，这样就在硅片的背面被挡板挡住的点没有镀上氮化硅，在其他地方都镀上氮化硅，达到了背面点接触所需背面氮化硅的钝化，而在非接触点的地方都镀上了氮化硅。

6.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于：通过烧结形成良好的欧姆接触包括步骤如下：采用丝网印刷背面银电极，在200-300℃的温度下烘干，然后再丝网印刷背电场铝浆，在200-300℃的温度下烘干，接着丝网印刷正面银浆，在200-350℃下烘干，左后在500-900℃的气氛下通入CDA的气氛下进行烧结形成欧姆接触。