[发明专利]一种欧姆接触电极、其制备方法及包含该欧姆接触电极的半导体元件

权利要求书

1.一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极，其特征在于：所述的电极包括置于n型宽带隙半导体基底(1)上的金属电极层，所述金属电极层的第一电极层(2)是Ti金属层，第二电极层(3)是Ni金属层，第三电极层(4)是Ti金属层，第四电极层(5)是热惰性金属层。

2.根据权利要求1所述的欧姆接触电极，其特征在于：所述的热惰性金属层选自Au金属层、Pt金属层、Pd金属层、Ir金属层中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的欧姆接触电极，其特征在于：所述的n型宽带隙半导体基底(1)选自块状n型宽带隙半导体、n型宽带隙半导体薄膜、n型宽带隙半导体纳米结构。

4.根据权利要求1-3任一项所述的欧姆接触电极，其特征在于：所述的n型宽带隙半导体选自n型ZnO、n型ZnMgO、n型ZnBeO、n型金刚石、n型SiC、n型GaN、n型AlGaN、n型AlN、n型ZnS。

5.根据权利要求1-3任一项所述的欧姆接触电极，其特征在于：所述的第一电极层(2)的厚度为20～70 nm，第二电极层(3)的厚度为30～60 nm，第三电极层(4)的厚度为10～70 nm，第四电极层(5)的厚度为20～90 nm。

6.一种置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

清洗n型宽带隙半导体基底(1)并吹干；

在清洗好的n型宽带隙半导体基底(1)上覆盖上带有电极图案的掩模版；

在n型宽带隙半导体基底(1)上依次生长第一电极层(2)、第二电极层(3)、第三电极层(4)和第四电极层(5)，所述的第一电极层(2)是Ti金属层，第二电极层(3)是Ni金属层，第三电极层(4)是Ti金属层，第四电极层(5)是热惰性金属层；

移除掩模版，制得置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极。

7.一种制备置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极的方法，其特征在于包括如下步骤：

清洗n型宽带隙半导体基底(1)并吹干；

在清洗好的n型宽带隙半导体基底(1)上光刻出电极图案；

在n型宽带隙半导体基底(1)上依次生长第一电极层(2)、第二电极层(3)、第三电极层(4)和第四电极层(5)，所述的第一电极层(2)是Ti金属层，第二电极层(3)是Ni金属层，第三电极层(4)是Ti金属层，第四电极层(5)是热惰性金属层；

将不需要沉积的金属部分剥离，制得置于n型宽带隙半导体基底上的欧姆接触电极。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：还包括将制得的欧姆接触电极进行退火处理的步骤，所述的退火处理为快速退火热处理，退火的气氛为氩气或氮气气氛，退火温度为：400～800℃，退火时间为：30～150秒。

9.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于：所述的第一电极层(2)的厚度为20～70 nm，第二电极层(3)的厚度为30～60 nm，第三电极层(4)的厚度为10～70 nm，第四电极层(5)的厚度为20～90 nm。

10.一种半导体元件，其特征在于：所述半导体元件包含权利要求1-5任一项所述的欧姆接触电极。