[发明专利]电力电子装置及其混合功率模块、混合功率模块的形成方法无效
申请号: | 201310006151.3 | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN103051159A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 李诚瞻;刘可安;冯江华;史晶晶;彭勇殿 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/08;H01L25/07 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力 电子 装置 及其 混合 功率 模块 形成 方法 | ||
1.一种混合功率模块,其特征在于,包括:
IGBT开关器件;
阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连,阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管;
与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路,所述栅极偏置电路包括:相互并联的第一电阻和第一二极管,以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻。
2.根据权利要求1所述的混合功率模块,其特征在于,所述栅极偏置电路包括:
与所述IGBT开关器件栅极相连的所述第一电阻和第一二极管的并联结构;
与所述第一电阻和第一二极管的并联结构另一端相连的第二电阻。
3.根据权利要求1所述的混合功率模块,其特征在于,所述栅极偏置电路包括:
与所述IGBT开关器件栅极相连的第二电阻;
与所述第二电阻的另一端相连的所述第一电阻和第一二极管的并联结构。
4.根据权利要求1任一项所述的混合功率模块,其特征在于,所述第一电阻的阻值大于1000Ω。
5.根据权利要求4所述的混合功率模块,其特征在于,所述第一二极管为整流二极管。
6.一种包括权利要求1-5任一项所述混合功率模块的电力电子装置。
7.一种混合功率模块的形成方法,其特征在于,包括:
制备氮化铝衬板;
在所述氮化铝衬板上形成图形化的金属层;
在氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电阻和第一二极管的并联结构、第二电阻;
将氮化铝衬板固定在基板上;
实现IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管与金属层电连接。
8.根据权利要求7所述的形成方法,其特征在于,所述基板为镀镍的铝碳化硅基板或镀镍的铜基板。
9.根据权利要求8所述的形成方法,其特征在于,还包括:
采用超声波清洗和化学清洗的方法,对所述基板和氮化铝衬板进行清洗。
10.根据权利要求7所述的形成方法,其特征在于,在所述氮化铝衬板上形成IGBT开关器件、碳化硅肖特基势垒二极管、第一电阻和第一二极管的并联结构、第二电阻包括:
采用丝网印刷技术,将焊料均匀涂在氮化铝衬板的焊接面上;
采用高温回流焊接技术,将IGBT开关器件芯片、碳化硅肖特基势垒二极管芯片、第一电阻贴片元件、第一二极管贴片元件和第二电阻贴片元件焊接在所述氮化铝衬板的焊接面上。
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H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置