[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310005688.8 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN103077823A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 西坂康弘;真田幸雄;佐藤浩司;松本诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/232 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷电子部件，包括：陶瓷基体、和在上述陶瓷基体之上形成的外部电极，该陶瓷电子部件的特征在于，
上述外部电极具有：在上述陶瓷基体之上形成的基底电极层、和在上述基底电极层之上形成的第一Cu镀膜，
上述基底电极层包含：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料，
在上述第一Cu镀膜的至少上述基底电极层侧的表层中扩散有上述能扩散进Cu中的金属，
在上述第一Cu镀膜的表面上并未形成氧化膜。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
在上述第一Cu镀膜中存在有晶界，上述能扩散进Cu中的金属沿上述第一Cu镀膜的晶界扩散。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
上述能扩散进Cu中的金属一直扩散到上述第一Cu镀膜的与上述基底电极层相反侧的表面。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
上述能扩散进Cu中的金属是从由Ni、Ag、Pd、及Au组成的组中选出的一种以上的金属。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
上述外部电极还具有在上述第一Cu镀膜之上形成的第二Cu镀膜，在上述第二Cu镀膜中未扩散有上述能扩散进Cu中的金属。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
Cu从上述第一Cu镀膜扩散进上述基底电极层中。
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