[发明专利]一种单级聚焦波带片及其制造方法无效
| 申请号： | 201310005657.2 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103048716A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 曹磊峰;范伟;高宇林;魏来;谷渝秋;张保汉 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621900 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚焦 波带片 及其 制造 方法 | ||
1.一种单级聚焦波带片，其特征在于，所述的波带片包括：
透明衬底；
形成于所述透明衬底上的多个不透光基元，不透光基元的形状为多边形。
2.根据权利要求1所述的单级聚焦波带片，其特征在于：所述多边形为六边形、圆形、扇形或其它形状中的一种。
3.根据权利要求1所述的单级聚焦波带片，其特征在于：所述不透光基元为金属钽、铬、金、铝、铜、镍、铌制备的不透光材料。
4.根据权利要求1所述的单级聚焦波带片，其特征在于：所述不透光基元的厚度为300到800纳米。
5.根据权利要求1所述的单级聚焦波带片，其特征在于：所述多个不透光基元的数密度沿径向呈余弦或者正弦分布，即呈环带状分布，基元沿环带呈随机分布，所述环带半径为rm，rm2 = mfλ + m2λ2/4，其中λ为波长，f为焦距，m为环数。
6.根据权利要求1中所述的单级聚焦波带片，其特征在于：所述透明衬底为二氧化硅、碳化硅、氮化硅或者聚酰亚胺制成的透明材料。
7.根据权利要求1所述的单级聚焦波带片，其特征在于，还包括如下内容：在透明衬底上涂覆不透光材料，通过光刻方法在透明衬底上形成多个不透光基元。
8.一种单级聚焦波带片的制造方法，其特征在于，所述的波带片包括：
A、提供透明衬底；
B、在所述透明衬底上形成多个不透光基元，不透光基元的形状为六边形、圆形、扇形或其它形状的多边形。
9.根据权利要求8所述的单级聚焦波带片的制备方法，其特征在于：步骤B中所述的多个不透光基元的分布，数密度沿径向呈余弦或者正弦分布，即呈环带状分布，不透光基元沿环带呈随机分布，所述环带半径为rm，rm2 = mfλ+ m2λ2/4，其中λ为波长，f为焦距，m为环数。
10.根据权利要求8所述的单级聚焦波带片的制备方法，其特征在于：所述透明衬底为由二氧化硅、碳化硅、氮化硅或者聚酰亚胺中的一种透明材料制成。
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