[发明专利]一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法

权利要求书

1.一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法，其特征在于：使用包含58-82at%Ga和18-42at%Na的镓钠合金材料沉积薄膜，使其对CIGS基薄膜光伏材料的光吸收层进行钠掺杂。

2.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法，其特征在于：所述的镓钠合金材料的Ga含量为65-75at%，Na含量为25-35at%。

3.根据权利要求1所述的一种CIGS基薄膜光伏材料的钠掺杂方法，其特征在于：所述的光吸收层为铜铟镓硒、铜铟镓硫或铜铟镓硒硫。

4.一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述结构包含具有表面的衬底和覆盖所述衬底表面的阻挡层；覆盖所述阻挡层的金属背电极层；覆盖所述金属背电极层的含钠光吸收层，其中所述含钠光吸收层是通过使用含58-82at%Ga和18-42at%Na的镓钠合金材料沉积薄膜，使其对光吸收层进行钠掺杂，所述含钠光吸收层中含有0.02-1.0at%的钠；覆盖所述含钠光吸收层的缓冲层；以及覆盖所述缓冲层的透明导电窗口层。

5.根据权利要求4所述的一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述光吸收层进行钠掺杂是在背电极层与CIGS光吸收层的预制层之间沉积一层镓钠合金膜层，或在形成CIGS光吸收层的预制层的同时沉积一层镓钠合金膜层，或在CIGS光吸收层的预制层形成之后在其上沉积一层镓钠合金膜层。

6.根据权利要求4所述的一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述阻挡层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氧化钛、氮氧化钛、氮氧化锆、氧化锆、氮化锆、氮化铝、氧化铝、氧化硅铝、氮化硅铝、氮氧化硅铝、锌锡氧化物中的一种或它们的混合物组成，或由硅、锆和钛中的至少一种元素与钼组成的至少两种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物组成。

7.根据权利要求4所述的一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述金属背电极层为钼电极层、钛电极层或铬电极层。

8.根据权利要求4所述的一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述含钠光吸收层为具有黄铜矿结构的含钠的铜铟镓硒膜层、含钠的铜铟镓硫膜层或含钠的铜铟镓硒硫膜层。

9.根据权利要求4所述的一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述缓冲层选用硫化镉、氧化锌、硫化锌、硫化铟或锌镁氧化物中的一种或两种以上。

10.根据权利要求4所述的一种用于形成CIGS基薄膜光伏材料的结构，其特征在于：所述透明导电窗口层选用氧化铟掺杂锡、氧化锌掺杂铝、氧化锌掺杂镓、氧化锌掺杂铟、氧化锡掺杂氟、氧化锡掺杂锑中的一种或两种以上透明导电膜。