[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底的上方的第一有源层；

设置在所述第一有源层上的第二有源层，所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙以使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间产生二维电子气层，其中所述第二有源层包括形成在其内的第一凹进部和第二凹进部；

分别设置在所述第一凹进部和所述第二凹进部中的源极接触和漏极接触，其中所述第一凹进部和所述第二凹进部具有各自的侧表面和底表面，并且所述源极接触和所述漏极接触被设置在所述第一凹进部和所述第二凹进部中，接触所述第二有源层中的相应凹进部的侧表面和底表面，其中，以此方式使接触件凹进降低了所述第二有源层的表面的接触电阻和光滑度，从而增大了被沉积用于形成所述源极接触和所述漏极接触的金属对所述第二有源层的渗透性；

设置在所述第二有源层的上方的栅电极；以及

设置在所述第二有源层的上方的终止层，并且其中，所述源极接触和所述漏极接触延伸穿过所述终止层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述终止层包含InGaN。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述终止层选自由下列各项组成的组：氧化铝、氧化镓、氧化铟，以及掺杂Fe的GaN、掺杂Si的GaN、FeN和SiN。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一有源层包含III族氮化物半导体材料。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一有源层包含GaN。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二有源层包含III族氮化物半导体材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二有源层包含Al_xGa_1-xN，其中0<X<1。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二有源层选自由AlGaN、AlInN和AlInGaN组成的组。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述衬底和所述第一有源层之间的成核层。