[发明专利]硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法

权利要求书

1.一种硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供需要分析的硅基芯片样品，制作出该硅基芯片样品的需要分析的分析截面，该分析截面的晶面指数属于{110}晶面族；

步骤二、对所述硅基芯片样品的所述分析截面用晶体缺陷腐蚀液进行腐蚀处理；

步骤三、对腐蚀处理后的所述分析截面进行SEM分析。

2.如权利要求1所述的硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于：步骤一中所述硅基芯片样品为晶圆级样品，直接对所述硅基芯片样品所在的晶圆进行沿{110}晶面族的晶面进行手动裂片形成所述分析截面。

3.如权利要求1所述的硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于：步骤一中所述硅基芯片样品为已经对晶圆进行分割后形成的单芯片级样品，通过对所述硅基芯片样品的属于{110}晶面族的晶面进行研磨得到所述分析截面。

4.如权利要求1所述的硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于：步骤二中所述晶体缺陷腐蚀液的组分为：氢氟酸、硝酸、醋酸、三氯化铬、硝酸铜和水，所述晶体缺陷腐蚀液各组分的配比为：氢氟酸：硝酸：醋酸：三氯化铬：硝酸铜：水=50毫升：30毫升：60毫升：15克：2克：60毫升。

5.如权利要求1或4所述的硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于：步骤二中的所述腐蚀处理的腐蚀速率为17纳米/秒，腐蚀时间为10秒～45秒。

6.如权利要求1所述的硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法，其特征在于：步骤三中所述SEM分析包括如下步骤：

观察在所述分析截面上是否存在三角锥形或四角锥形凹坑，用于判断所述硅基芯片样品的硅衬底的质量，一个所述三角锥形或四角锥形凹坑对应于一个位错；

以所述分析截面中的特征结构为参考，从所述分析截面中观察所述特征结构的数量为大于等于100的第一值的特征结构区域，在所述特征结构区域中统计出所包含的所述三角锥形或四角锥形凹坑的数量，该数量为第二值，用所述第二值除以所述第一值再除以100得到第三值，所述第三值为每含有100个所述特征结构的特征结构区域内的位错数字，该位错数值用于位错的统计分析及不同所述硅基芯片样品间的特性比较。