[发明专利]半导体封装件

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件，且特别是有关于一种具有散热功能的半导体封装件。

背景技术

传统半导体封装件包含封装体及芯片，其中封装体包覆芯片，而芯片提供半导体封装件的功能。然而，芯片会产生高热，且封装体的热传导性通常不佳，导致芯片周围温度过高而影响其工作效率。因此，如何驱散芯片的热量成为业界努力重点之一。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件，一例中，半导体封装件包括散热片，可驱散芯片的热量。

根据本发明，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片、一封装体、一散热板及一倒钩结构层。芯片设于基板上。封装体包覆芯片且具有一上表面。散热板具有一粗糙面，散热板以粗糙面形成于封装体的上表面上。倒钩结构层包覆粗糙面且位于封装体与散热板之间，以提升散热板与封装体之间的结合性。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图2绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

主要元件符号说明：

100、200：半导体封装件

110：基板

110u、130u：上表面

120：芯片

120u：主动面

125：焊线

130：封装体

140：散热板

140b：粗糙面

140u：外表面

150：倒钩结构层

151：倒钩

152：内层

153：外层

1511：容置空间

260：硅烷层

具体实施方式

请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。半导体封装件100包括基板110、芯片120、封装体130、散热板140及倒钩结构层150。

基板110可以是有机(organic)基板、陶瓷(ceramic)基板、硅基板或金属载板。此外，基板110可以是单层或多层线路基板。

芯片120以其主动面120u朝上方位设于基板110的上表面110u上，并通过至少一焊线125电性连接于基板110，焊线125可以是金线或铜线。另一例中，芯片120可以是覆晶(flip chip)，其以其主动面120u朝下方位设于基板110的上表面110u上且通过至少一凸块电性连接于基板110。

封装体130包覆芯片120、焊线125及基板的上表面110u的至少一部分，且具有上表面130u。封装体130可包括酚醛基树脂(Novolac-based resin)、环氧基树脂(epoxy-based resin)、硅基树脂(silicone-based resin)或其他适当的包覆剂。封装体130亦可包括适当的填充剂，例如是粉状的二氧化硅。可利用数种封装技术形成封装体130，例如是压缩成型(compression molding)、注射成型(injectionmolding)或转注成型(transfer molding)。

散热板140具有粗糙面140b。散热板140以粗糙面140b朝下方位设于封装体130的上表面130u上。散热板140的厚度介于0.07毫米至0.1毫米之间，而粗糙面140b的中心线平均粗糙度(Center line average roughness)(又称为Ra)介于约0.4微米至3.5微米之间，然亦可大于3.5微米。本例中，粗糙面140b的中心线平均粗糙度Ra大于2微米，可使粗糙面140b上形成倒钩结构层150，其中倒钩结构层150具有至少一倒钩151。由于倒钩151的形成，可增加倒钩结构层150的表面粗糙度。一例中，倒钩结构层150的粗糙度大于粗糙面140b的粗糙度，但小于粗糙面140b的粗糙度的1.3倍，然亦可大于粗糙度的1.3倍。然而，只要形成于粗糙面140b上的倒钩结构层150可形成倒钩151即可，本发明实施例不限制粗糙面140b的表面粗糙度值。

散热板140并非所有表面都需要形成粗糙面，例如，散热板140更具有外表面140u，此外表面140u包含散热板140的上表面及/或至少一外侧面，外表面140u的表面粗糙度可小于粗糙面140b的表面粗糙度。然另一例中，外表面140u亦可为粗糙面，其表面粗糙度可相似于粗糙面140b。此外，散热板140的材料包含铜、铝或其它适用材料。